Схема МГИС в двух вариантах

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 25 Января 2011 в 15:15, курсовая работа

Описание работы

В данном курсовом проекте согласно техническому заданию требуется разработать схему МГИС в двух вариантах.

В первом варианте на логических ИМС серии 155 с четырьмя выходными каналами (аналоговый, ТТЛ, КМОПТЛ, ЭСЛ) и заданными требованиями к нестабильности (при «расширении» длительность информационной части не более 199 мкс; при «сжатии» длительность импульсов и пауз не менее 1 мкс). При этом максимальное число корпусов без учета ОУ и ПУ ЭСЛ равно 6.

Во втором варианте на любых ИМС (кроме 155РЕ3) с одним выходом ТТЛ и схема управления без буферных элементов. При этом максимальное число корпусов равно 4.

В обоих вариантах есть два режима работы: автоматический и ручной. В любом режиме первый запуск от кнопки «пуск», переключение режимов с помощью тумблера.

Содержание работы

1. Введение…………………………………………………………………….4

2. Вариант №1…………………………………………………………………5

2.1. Разработка функциональной схемы 1-го варианта…………………...5

2.2. Разработка принципиальной схемы 1-го варианта……………………5

2.2.1. Схема автоматической установки нуля……………………………..5

2.2.2. Схема устранения дребезга контактов………………………………6

2.2.3. Управляемый генератор импульсов…………………………………7

2.2.4. Устройство управления………………………………………………7

2.2.5. Формирование заданных импульсов………………………………...8

2.2.5.1. ФКИ1…………………………………………………………….....8

2.2.5.2. ФКИ2…………………………………………………………….....8

2.2.5.3. ФКИ3…………………………………………………………….....9

2.2.5.4. ФКИ4………………………………………………………………10

2.2.5.5. ФКИ5………………………………………………………………10

2.2.5.6. СЗ1…………………………………………………………………11

2.2.5.7. СЗ2…………………………………………………………………11

2.2.5.8. Монтажное «И»…………………………………………………..12

2.2.6. Анализ нестабильности временных диаграмм…………………….12

2.2.7. Устройство формирования сигналов……………………………….13

2.2.7.1. Монтажное «И»…………………………………………………..13

2.2.7.2. Буферный элемент ТТЛ………………………………………….14

2.2.7.3. Преобразование уровня ТТЛ-ЭСЛ……………………………...14

2.2.7.4. Преобразование уровня ТТЛ-КМОТЛ………………………….14

2.2.7.5. Расчет буфера аналогового выхода……………………………..15

3. Вариант №2…………………………………………………………...……17

3.1. Разработка функциональной схемы 2-го варианта…………………..17

3.2. Разработка принципиальной схемы 2-го варианта…………………..17

3.2.1. Управляемый генератор импульсов……………………………….18

3.2.2. Таблица прошивки ППЗУ………………………………………….19

4. Заключение………………………………………………………………...20

5. Литература…………………………………………………………………20

6. Графический материал……………………………………………………21

6.1. Функциональные схемы…...……..…..………………………………..21

6.2. Временные диаграммы……………………..………………………….22

6.3. Принципиальная схема 1-го варианта…..……………………………26

6.4. Принципиальная схема 2-го варианта…..……………………………27

7.1. Спецификация элементов 1-го варианта………………………………28

7.2. Спецификация элементов 2-го варианта….…………………………...29

Файлы: 1 файл

КП Схемотехника.docx

— 225.27 Кб (Скачать файл)

Временные диаграммы второго  варианта 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

7.1. Спецификация элементов первого варианта

Формат Зона Обозначение Наименование Кол-во Примечание
           
      Конденсаторы    
           
    C1 К52-1 75мкФ 1  
    С2 КМ-5Б 30нФ 1  
    С3 КМ-5Б 150нФ 1  
    С4, С8 КМ-5Б 18нФ 2  
    С5 КМ-5Б 62нФ 1  
    С6 КМ-5Б 36нФ 1  
    С7, С9, С10 КМ-5Б 27нФ 3  
           
      Микросхемы    
           
    DD1 К155ЛИ1 1  
    DD2 К155ЛЕ5 1  
    DD3, DD5 К155ЛН5 2  
    DD4 К155ЛА3 1  
    DD6 К500ПУ124 1  
    DA1 140УД11 1  
           
      Резисторы    
           
    R1, R2, R4, R5, R6 МЛТ-0.125 1 кОм 5  
    R3 МЛТ-0.125 30 кОм 1  
    R7, R8 МЛТ-0.125 510 Ом 2  
    R9, R10, R12, R14, R15, R16, R17 МЛТ-0.125 910 Ом 7  
    R11  СП3-9 1.1 кОм 1 Переменный
    R13 МЛТ-0.125 390 Ом 1  
    R18, R25, R26, R28 МЛТ-0.125 10 кОм 4  
    R19 МЛТ-0.125 100 кОм 1  
    R20 МЛТ-0.125 18 кОм 1  
    R21 МЛТ-0.125 15 кОм 1  
    R22 МЛТ-0.125 20 кОм 1  
    R23 МЛТ-0.125 16 кОм 1  
    R24 МЛТ-0.125 240 кОм 1  
    R27 МЛТ-0.125 47 кОм 1  
           
      Диоды    
           
    VD1, VD2, VD3, VD4, VD5 Идеальный 5  
           
      Кварцевый резонатор    
           
    ZQ1 5кГц 1  
 

7.2. Спецификация элементов второго варианта

Формат Зона Обозначение Наименование Кол-во Примечание
           
      Конденсаторы    
           
    C1 К52-1 75мкФ 1  
    С2 КМ-5Б 30нФ 1  
    С3 КМ-5Б 18нФ 1  
           
      Микросхемы    
           
    DD1 К155ЛА3 1  
    DD2 К155ЛЕ1 1  
    DD3 К155ИЕ6 1  
    DD4 КР556РТ11 1  
           
      Резисторы    
           
    R1, R3, R6, R7 МЛТ-0.125 1 кОм 4  
    R2 МЛТ-0.125 30 кОм 1  
    R4, R5 МЛТ-0.125 910 Ом 2  
           
      Диоды    
           
    VD1, VD2 Идеальный 2  
           
      Кварцевый резонатор    
    ZQ1 50кГц 1  

Информация о работе Схема МГИС в двух вариантах