Контрольная работа по «Физические основы электроники»
Контрольная работа, 08 Апреля 2013
Определить:
1) Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход
2) Тип и концентрацию неосновных носителей заряда в базе
3) Тип и концентрацию примеси, а также тип и концентрацию основных
носителей заряда в базе
4) Тип и концентрацию основных и неосновных носителей заряда в эмиттере, а
также тип и концентрацию примеси, внесенной в область эмиттера
5) Контактную разность потенциалов
Контрольная работа по «Физические основы электроники»
Контрольная работа, 11 Января 2015
По заданному при комнатной температуре значению тока
I0 = 0,8⋅10-9 A в идеальном несимметричном n+-p-переходе площадью
S = 0,1 см2
Определить:
1) Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход.
2) Тип и концентрацию неосновных носителей заряда в базе.
3) Тип и концентрацию примеси, а также тип и концентрацию основных носителей заряда в базе.
Контрольная работа по "Основы электротехники и электроники"
Контрольная работа, 25 Января 2015
Электротехника – это область науки, которая изучает применение электрических и магнитных явлений для практического использования. Производство, передача, распределение и различные виды преобразования энергии относятся к области энергетики. Создание и применение любых электротехнических установок и устройств, использующих электрические, магнитные поля и явления в технологических процессах – это область электротехнологии. Современная цивилизация не только оперирует получением и обработкой информации, но и позволяет контролировать распространение информации.
Контрольная работа по «Электроника и автоматизация измерений»
Контрольная работа, 17 Июня 2015
Составить таблицу истинности булевой функции четырех переменных, записать структурную формулу в совершенной дизъюнктивной нормальной форме и нарисовать структурную схему КС, реализующей эту булеву функцию в базисе И, ИЛИ, НЕ.
Используя метод тождественных преобразований и табличный метод, основанный на применении карт Карно, минимизировать полученную в СДНФ структурную формулу. Построить минимизированную КС в базисе И, ИЛИ, НЕ и в базисе И-НЕ.
Номера единичных наборов (вариант 26): 1, 3, 6, 7, 10, 14.
Контрольная работа по "Электронике"
Сайт-партнер: referat911.ru
Контрольная работа, 25 Сентября 2013
Задание №5 Разработать ждущий мультивибратор (одновибратор) прямоугольного импульса на базе ОУ и транзисторного каскада по исходным данным.
Длительность выходного импульса tи 10мС = 0,01С
Амплитуда выходного импульса Uвых 5В
Сопротивление нагрузки Rн 0.3Ком = 300Ом
Контрольная работа по "Электроника"
Сайт-партнер: referat911.ru
Контрольная работа, 16 Мая 2013
Требуется:
рассчитать и построить по исходным данным четыре спектра по два для каждого из двух заданных значений скважности S.
Для каждого спектра требуется:
определить гармоники, амплитуды которых будут обращаться в ноль;
рассчитать амплитуды всех гармоник, начиная с первой f1 и кончая второй (нулевой) гармоникой, а также постоянную составляющую;
построить в масштабе спектрограмму сигнала.
Контрольная работа по "Электронике"
Сайт-партнер: stud24.ru
Контрольная работа, 25 Декабря 2012
Вариант №4
Работа посвящена расчёту основных характеристик выпрямителей, предназначенных для электропривода постоянного тока. Нагрузкой выпрямителя является цепь якоря электродвигателя постоянного тока. Задание включает следующие разделы:
1. необходимо изобразить схему неуправляемого выпрямителя без фильтра. Рассчитать схему неуправляемого выпрямителя без фильтра. Определить параметры схемы. Построить график изменения напряжения на входе выпрямителя. Построить график изменения напряжения на нагрузочном устройстве, отметить среднее значение выпрямленного напряжения.
Контрольная работа по "Электронике"
Сайт-партнер: yaneuch.ru
Контрольная работа, 24 Ноября 2013
Задача №1 В германиевом р-n-переходе удельная проводимость р-области σр=104 См/м и удельная проводимость n-области σn=102 См/м. Подвижности электронов μn и дырок mp в германии соответственно равны 20 и 10-8 /(В×с). Концентрация собственных носителей в германии при Т=210 К составляет ni=1 м-3. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т=210 К.
Задача №2 Используя данные и результаты расчетов задачи из примера 1, найти плотность обратного тока насыщения, а также отношение дырочной составляющей обратного тока насыщения к электронной, если диффузионные длины для электронов и дырок Ln = Lp = 1×10-3м.