Автор работы: Пользователь скрыл имя, 16 Января 2013 в 14:42, автореферат
Актуальность диссертационной работы обусловлена необходимостью создания новых оптических материалов для решения практических задач, возникающих при разработке компонентной базы квантовой электроники и оптоэлектронных устройств, а также развития оптических телекоммуникационных систем. К таким материалам относятся аморфные углеродные пленки с показателем преломления близким алмазу, сочетающие в себе прозрачность в ИК области спектра с механической прочностью и химической стойкостью. Уникальное сочетание свойств открывает большие возможности для применения алмазоподобных углеродных пленок в оптических элементах лазеров, инфракрасной технике и других оптических устройствах, например, в качестве защитных и просветляющих покрытий оптических элементов.
Отсутствие корреляции между порогами пробоя зеркала с покрытием и без покрытия указывает на различие условий плазмообразования у поверхности металла и пленки a-C:H. Наиболее высокие пороги оптического пробоя были получены для покрытий с низкими значениями удельного сопротивления 108 Ом см и ширины оптической щели, что свидетельствует о влиянии электронной структуры a-C:H на процесс образования плазмы при оптическом пробое. Поглощения кванта с энергией 0,1 эВ при воздействии на покрытие ИК излучения достаточно для зарождения носителей заряда внутри области сопряжения p-электронов на отдельном кластере. Чем выше проводимость покрытия, тем меньше вероятность нагрева его за время действия лазерного импульса и выше порог оптического пробоя.
Согласно тепловому механизму, оптический пробой вблизи поверхности зеркала с покрытием a-C:H может развиваться в результате локального нагрева отдельных участков зоны лазерного облучения до температуры выше 450оC, соответствующей началу термодеструкции покрытия и окислению углеводородных продуктов разложения. Вместе с тем нельзя исключать возможность трибо- и механоэмиссии электронов при образовании трещин в результате релаксации внутренних сжимающих напряжений в покрытие, когда тепловое сопротивление стремится к бесконечности. Полученные результаты способствуют пониманию взаимодействия интенсивных световых потоков лазерного излучения с пассивными элементами CO2 лазеров с защитными покрытиями a-C:H.
Шестая глава посвящена исследованию физико-химического взаимодействия нематических жидких кристаллов (ЖК) с поверхностью ориентирующих слоев, полученных из паров углеводородов в плазме тлеющего разряда. Эти исследования представляют интерес как для понимания механизма взаимодействия поверхности твердого тела с ЖК, так и для дальнейшего совершенствования технологии изготовления ЖК устройств [24]. В этой главе представлены результаты изучения микрорельефа поверхности, макроскопических свойств, молекулярной структуры и адсорбционной способности ориентирующих слоев на основе a-C:H.
Известные слои, полученные из углеводородов в плазме тлеющего разряда, ориентируют молекулы жидких кристаллов гомеотропно, т.е. перпендикулярно поверхности [Watanabe R., Nakamo T., Satoh T., Hatoh H., Onki Y. Plasma-polymerized films as orientating layers for LCs // Jap. J. Appl. Phys. 1987. V. 26. №3. P. 373-376]. Для получения параллельно-направленной гомогенной ориентации молекул ЖК поверхности таких слоев подвергают дополнительной обработке с использованием ионных пучков, плазмы тлеющего разряда или УФ излучения. В этой работе был впервые предложен оригинальный способ получения гомогенной ориентации ЖК, основанный на осаждении слоев a-C:H из углеводородной плазмы при мощности разряда 1,6-2,0 Вт без какой-либо последующей обработки поверхности. Слои a-C:H осаждались на подложки, расположенные наклонно относительно вертикальной оси устройства, при непрерывной бомбардировке конденсируемой пленки положительными ионами под скользящими углами [25].
Изучение с помощью электронной микроскопии ориентирующих слоев а-С:Н, осажденных на полированную поверхность стекла, не выявило каких-либо признаков анизотропии микрорельефа, в отличие, например, от наклонно напыленных слоев окиси церия [34, 35]. С помощью атомно-силовой микроскопии было показано, что тонкий слой
a-C:H при осаждении на поверхность наклонно напыленной моноокиси германия сглаживает первоначальный рельеф [36].
Ориентация ЖК контролировалась путем измерения начального угла qp наклона директора ЖК, соответствующего направлению ориентации длинных осей молекул. Для этого использовался известный метод вращения ЖК ячейки, основанный на измерении интенсивности пропускания света через слой жидкого кристалла в зависимости от угла падения света [Baur G., Wittwer V., Berreman D.W. Determination of the tilt angles at surfaces of substrates in liquid crystal cells. // Phys. Lett. 1976. V. 56A. N. 2, P. 142-143]. Для ЖК-1282 (НИОПиК), ориентированного на поверхности слоя a-C:H, угол qp £ 2-3,5о [31]. Осаждение слоя а-C:Н на поверхность электрода, с искусственно созданным рельефом с заданным направлением, способствовало улучшению однородности азимутальной ориентации молекул на площади 10 см2, но при этом вызывало увеличение угла qp до 7-14о [32]. В то же время осаждение тонкого слоя а-C:Н на поверхность наклонно напыленной моноокиси германия приводило к уменьшению угла qp для ЖК марки BL-037 (фирмы Merck) [33]. Полученные результаты свидетельствуют о влиянии характера рельефа поверхности, предшествующей слою а-C:Н, на начальный угол наклона директора ЖК.
Обработка поверхности известных
ориентирующих слоев в плазме тлеющего
разряда кислорода после их осаждения
полимеризацией в плазме приводила к изменению
характера ориентации ЖК с гомеотропной
на гомогенную, т.е. изменению угла наклона
директора ЖК от 90о до 0о. В
случае исследуемых ориентирующих слоев
а-С:Н такая обработка приводила к противоположному
эффекту [26]. Сравнение слоев а-С:Н и плазменно-полимеризованного
октана (ППО) с показателями преломления
каркаса 1,641 и 1,555 на длине волны 632,8 нм с
помощью адсорбционно-
а у слоев ППО она была равна 4,5 % [16]. Это объясняется тем, что при обработке поверхности слоя а-С:Н в плазме кислорода удаляется верхний слой материала пленки и вскрываются микропоры, что создает благоприятные условия для хемосорбции воды и кислорода, благодаря образованию разорванных углерод-водородных связей, что подтвердили исследования таких пленок с помощью ИК спектроскопии [16].
С помощью метода поляризационной ИК спектроскопии МНПВО была исследована ориентация ЖК на основе цианобифенилов (ЦБ) на поверхности слоев а-С:Н и ППО. Начальное значение параметра ориентационного порядка, определяемого оптической плотностью в полосах поглощения для p- и s-поляризации ИК излучения, было выше у гомогенно ориентированного слоя ЦБ и равно 0,63-0,68, в то время как для гомеотропного слоя ЖК оно составляло 0,43-0,45 [37]. Наибольшие значения дихроичного отношения коэффициентов поглощения as и ap для s- и p-поляризации ИК излучения, равные 4,3-5,3, наблюдались для колебаний связей, в направление параллельном директору ЖК, таких как CºN связи (2220 cм-1) и C-C связей в фенильном (1610 cм-1 и 1500 cм-1) и бифенильных кольцах (1240 cм-1) для гомогенно слоя ЖК, ориентированного поверхностью а-С:Н.
|
|
Рис. 8. Изменение дихроичного отношения основных полос поглощения в ИК спектрах гомогенно (а) и гомеотропно (b) ориентированных слоев ЖК-1282: первоначальное (1); после хранения ЖК ячеек в течение 10 месяцев (2) и после нагревания до температуры 60оС (3). Полосы поглощения: □ - CºN; ● - C-C в фенильном кольце; ▲ - C-C в бифенилах. |
У гомеотропно ориентированного слоя ЖК с помощью ППО отношение as/aP было меньше единицы для тех же самых полос поглощения в спектре. Исследование негерметизированных ЖК ячеек после хранения в комнатных условиях в течение 10 месяцев, а также после их нагрева до температуры 60°С, соответствующей температуре перехода ЖК из нематической в изотропную фазу, показало незначительные изменения отношения as/ap в полосах колебания C-C связей фенильного и бифенильного колец как для гомогенно (рис. 8, a), так и для гомеотропно (рис. 8, b) ориентированных слоев ЖК.
Проведенные исследования показали, что гомеотропная ориентация молекул ЦБ на поверхности слоя ППО связана с дисперсионным взаимодействием алкильных радикалов молекул ЖК с метильными группами на поверхности слоя [38]. Гомогенная параллельно-направленная ориентации молекул ЦБ на поверхности ориентирующего слоя а-С:Н обусловлена взаимодействием между бифенильными кольцами молекул ЖК и полициклическими ароматическими группами, расположенными параллельно границе раздела фаз. Это взаимодействие может иметь как дисперсионный характер, так и быть связано с коллективными взаимодействиями между p-электронами бифенильных колец молекул и углеводородных кластеров на поверхности ориентирующего слоя. Изменение характера ориентации молекул ЖК в результате обработки слоя а-С:Н в плазме кислорода, вызывающей разрушение полициклических ароматических групп на поверхности, может служить косвенным подтверждением предложенного механизма взаимодействия.
Седьмая глава посвящена определению поверхностной энергии слоев а-С:Н с показателем преломления порядка 1,6 и энергии межфазного взаимодействия этих слоев с жидкими кристаллами по экспериментальным результатам определения краевых углов смачивания поверхности жидкостью.
Для расчета поверхностной энергии слоев использовалось уравнение Гуда-Овенса-Вендта, а все изменения при оценке взаимодействия на границе раздела фаз жидкость – твердое тело связывали с изменением поверхностного натяжения:
(1) |
Неизвестные величины дисперсионной gSd и полярной gSp составляющих поверхностной энергии вычисляли из системы двух уравнений:
(2) |
Экспериментально определялись значения краевых углов qk1 и qk2 двух жидкостей, одна из которых являлась полярной, а другая неполярной, с известными значениями дисперсионной gLd и полярной gLp компонент поверхностного натяжения. В качестве пар жидкостей были использованы вода и a-Br нафталин, а также глицерин и a-Br нафталин. Эти пары отличались величиной полярной и дисперсионной составляющих поверхностного натяжения gL.
Расчет поверхностной энергии показал, что обработка поверхности слоев а-С:Н в плазме кислорода приводит к снижению поверхностной энергии, главным образом, за счет понижения дисперсионной составляющей [39]. Экспериментально наблюдаемое скачкообразное изменение характера ориентации молекул ЖК при кратковременном воздействии плазмы кислорода на ориентирующие слои а-С:Н вызвано резким возрастанием полярной компоненты поверхностной энергии по отношению к ее дисперсионной составляющей (рис. 9) [26].
|
|
Рис. 9. Изменение отношения полярной gsp и дисперсионной gsd составляющих поверхностной энергии слоя а-С:Н при увеличении времени обработки в плазме кислорода. |
Рис. 10. Энергия межфазного взаимодействия ЖК gSL с поверхностью твердого тела в зависимости от поверхностной энергии gS. |
Определение поверхностной энергии разных материалов: полированного стекла, ориентирующих слоев а-С:Н, ППО и поливинилового спирта (ПВС), а также прозрачных проводящих покрытий на основе окислов In2O3-SnO2 и HfO2 показало, что наибольшая поверхностная энергия, равная 44 мДж/м2, соответствовала слою a-C:H. У слоя ППО она была ниже и составляла 38 мДж/м2 [32,40]. Экспериментально было показано, что с увеличением поверхностной энергии твердого тела энергия межфазного взаимодействия с жидким кристаллом (ЖК-1282) возрастала (рис. 10) [41].
Восьмая глава посвящена исследованиям, связанным с применением слоев на основе a-C:H в ЖК устройствах. Тонкие пленки a-C:H, поглощающие свет в видимой области спектра, были впервые применены для светоблокировки фоточувствительных полупроводниковых слоев аморфного гидрогенизированного кремния a-Si:H и карбида кремния a-Si:C:H и обеспечения оптической развязки между записывающим и считывающим светом в оптически управляемых ЖК модуляторах отражательного типа [42] на основе нематических [43,44] и смектических ЖК [46,47]. Было показано, что для снижения пропускания на длине волны l = 632,8 нм до 1%, можно использовать слой a-C:H толщиной 1,3 мкм с коэффициентом поглощения 5×104 см-1 [48,49].
Эффективность создания оптической развязки для видимого света с помощью слоев a-C:H иллюстрирует рис. 11, на котором показано изменение контраста от частоты для трех оптических модуляторов на основе смектического ЖК с мозаичными металлическими зеркалами. Максимальный контраст, равный 80:1, был получен на частоте 100 Гц при ослаблении пропускания света в 150 раз (рис. 11, кривая б). Уменьшение эффективности светоблокировки в три раза вызывало понижение контраста до 60:1 (рис. 11, a). Минимальный контраст, равный 20:1 (рис. 11, г) был получен в отсутствии |
|
Рис. 11. Изменение контраста в оптических СЖК модуляторах с мозаичным металлическим зеркалом и блокирующим слоем a-C:H (а и б) и без него (г). |
поглощающего слоя a-C:H в промежутках между пикселями металлического зеркала [47]. Размещение поглощающего слоя a-C:H в ЖК модуляторах с многослойными диэлектрическими зеркалами на основе а-Si:C:H позволило не только исключить влияние считывающего света на работу модулятора, но и снизить требования к коэффициенту отражения зеркала, уменьшить количество, входящих в него четвертьволновых слоев и толщину зеркала, что способствовало согласованию его со слоем ЖК [48].
Для повышения коэффициента отражения до 95% многослойного диэлектрического зеркала на основе а-Si:C:H, состоящего из 7-9 четвертьволновых слоев, было впервые предложено использовать слой а-С:Н с низким показателем преломления. В сочетании со светоблокирующим слоем а-С:Н такое зеркало должно обеспечивать эффективную оптическую развязку между записывающим и считывающим светом в оптически управляемых ЖК модуляторах [49,50].
Оригинальный способ создания параллельной однонаправленной ориентации молекул ЖК [52-54], основанный на осаждении тонких слоев а-С:Н с помощью плазмы из различных исходных углеводородов: толуола [26], бензола [27], октана [28], этилового спирта [29] и ацетона [30] – использовался для изготовления электроуправляемых ЖК модуляторов [32,33,36]. Достоинствами предложенного способа получения ориентирующих слоев с помощью плазмы являются: отсутствие необходимости подогрева и дополнительной обработки поверхности после осаждения слоев, что отличает его от способов, ранее известных и разрабатываемых в настоящее время.