Автор работы: Пользователь скрыл имя, 16 Января 2013 в 14:42, автореферат
Актуальность диссертационной работы обусловлена необходимостью создания новых оптических материалов для решения практических задач, возникающих при разработке компонентной базы квантовой электроники и оптоэлектронных устройств, а также развития оптических телекоммуникационных систем. К таким материалам относятся аморфные углеродные пленки с показателем преломления близким алмазу, сочетающие в себе прозрачность в ИК области спектра с механической прочностью и химической стойкостью. Уникальное сочетание свойств открывает большие возможности для применения алмазоподобных углеродных пленок в оптических элементах лазеров, инфракрасной технике и других оптических устройствах, например, в качестве защитных и просветляющих покрытий оптических элементов.
Третья глава посвящена исследованию края оптического поглощения и ширины оптической щели пленок а-С:Н и влияния на характер спектров электронного поглощения условий получения пленок в плазме тлеющего разряда и содержания связанного водорода.
В соответствии с кластерной моделью [Robertson J. Electronic structure of diamond-like carbon. // D&RM, 1997. V. 6. P. 212-218] ширина оптической щели зависит от размеров p-связанных кластеров и уменьшается при увеличении фракции sp2 состояний, их образующих. Ширину оптической щели исследуемых пленок а-С:Н определяли известными методами: по значению энергии Е04, соответствующей линейному коэффициенту поглощения a = 104 см-1, и экстраполяцией зависимости (aE)1/2 от Е, согласно уравнению Тауца (ЕT), используя спектральные зависимости коэффициента поглощения в интервале 0-5 эВ. Экспериментально установлено, что для исследуемых пленок величина Е04 была в среднем на 30 % больше величины ЕT [12].
Рис. 4. Зависимости ЕT (а) и коэффициента поглощения a (б) на длине волны 2920 см-1 пленок а-С:Н от напряжения U. |
Экспериментально было установлено, что ширина оптической щели ЕT пленок а-С:Н понижается от 2,3 до 0,8 эВ при увеличении межэлектродного напряжения и уменьшении давления ацетилена в интервале от 0,1 до 0,01 Па (рис. 4 а) в результате повышения энергии ионов, участвующих в CVD-процессе. При этом понижение величины ЕT коррелирует с уменьшением коэффициента поглощения в полосе 2920 см-1 в ИК спектрах пленок (рис. 4, б), что свидетельствует об уменьшении содержания СН-групп в sp3 состоянии гибридизации. |
Прямая информация о структуре края оптического поглощения пленок а-С:Н была получена из спектров поглощения в интервале длин волн 400-2400 нм. В этой спектральной области были выделены две общие полосы поглощения для всех спектров исследованных пленок. Полоса с максимумом вблизи 600 нм, характерная для электронных спектров полимеров, содержащих полиеновые цепи, и полоса ~800 нм, связанная с поглощением в более сложных системах сопряжения кратных связей. Относительная интегральная интенсивность полос поглощения J600/J800 в электронных спектрах понижалась при вариации межэлектродного напряжения в интервале 600-1200 В при осаждении пленок. Отношение основных полос J1340/J1540, выделенных в КР спектрах пленок а-С:Н, в подобных условиях их получения, напротив, возрастало, что свидетельствует об укрупнение p-связанных кластеров за счет образования единой системы сопряжения между полиеновыми цепями и полициклическими группами [7,13].
Анализ спектров электронного поглощения исследованных пленок а-С:Н позволил условно разделить образцы на две группы. Для пленок, в спектрах которых присутствует несколько максимумов, ширина оптической щели Тауца соответствует энергии максимума наиболее интенсивной полосы поглощения. В этом случае ширина щели определяется энергией наиболее вероятного p-p* электронного перехода, а внутри щели возможны локализованные состояния с более низкими значениями энергии, которые могут служить ловушками для носителей тока. У пленок с широкополосным электронным спектром ширина оптической щели определяется минимальной энергией p-p* электронного перехода, локальные уровни внутри щели практически отсутствуют, а уровни, лежащие на краю оптического поглощения, образуют плотный квазинепрерывный электронный спектр [13].
Установлено, что изменение ширины оптической щели пленок а-С:Н в интервале 0,8-2,3 эВ в результате повышения скорости осаждения от 1 до 10 Å/с коррелирует с увеличением удельного сопротивления пленок от 108 до 1013 Ом×см, что сопровождается снижением поглощения в видимой области спектра [14].
Четвертая глава посвящена сравнительному анализу ИК спектров МНПВО в интервале 4000-1000 см-1 у пленок a-C:H, полученных в разных условиях CVD-процесса в плазме. Обсуждаются особенности колебательных спектров пленок с разными показателями преломления и влияние на них молекулярной структуры исходного углеводорода, а также исследуется дисперсия оптических постоянных в ИК области спектра.
Для получения спектров пленки a-C:H осаждали на элементы МНПВО в виде призм, изготовленных из монокристалла германия. Применение метода ИК спектроскопии МНПВО исключает негативное влияние сильного интерференционного эффекта, характерного для колебательных спектров тонких пленок a-C:H на германии. Сравнение колебательных спектров пленок a-C:H, полученных из разных углеводородов при вариации условий осаждения в плазме, показало, что для них характерны два спектральных интервала поглощения. Первый интервал связан с валентными колебаниями CH-групп 3300-2700 см -1, а во втором интервале 1800-1000 см-1 можно выделить пики валентных колебаний одинарных C-C, двойных C=C связей и тройных CºC связей, а также полосы, отвечающие колебаниям карбонильных групп, и деформационным колебаниям CH-групп [15].
Особенностью спектров пленок a-C:H с показателем преломления более 2,0 является присутствие полосы вблизи 1250 см-1, обусловленной колебаниями C-C связей в узлах разветвления структуры (рис. 5). Эта полоса отсутствует в спектрах пленок с более низким показателем преломления, для которых характерны полосы поглощения 1700 см-1 и 3400см-1, соответствующие валентным колебаниям карбонильной и гидроксильной групп (рис. 6), связанные с адсорбционными процессами после осаждения пленок.
|
|
Рис. 5. ИК спектры МНПВО пленок a-C:H с n ³ 2, приготовленных из толуола (a), октана (b) и циклогексана (c) при P = 0,01-0,03 Па и W = 10-13 Вт. |
Рис. 6. ИК спектры МНПВО пленок a-C:H с n £ 1,7, приготовленных из толуола (a) и октана (b) при P = 0,3 Па и W = 2 Вт. |
Исследование влияния условий получения на колебательные спектры пленок, осажденных из ацетиленовой плазмы, показало, что интенсивность полосы 1250 см-1 уменьшается с понижением межэлектродного напряжения и повышением давления в вакуумной камере. В ИК спектре пленки, полученной на изолированной подложке без участия ионов в процессе формирования структуры, полоса 1250 см-1 отсутствовала. Одновременно увеличивалась интенсивность полос валентных и деформационных колебаний СН-групп, а также валентных колебаний карбонильных и гидроксильных групп, что свидетельствовало о снижении плотности упаковки структуры [7].
Интенсивность полос, соответствующих колебаниям карбонильных и гидроксильных групп, увеличивалась при хранении пленок a-C:H с n £ 1,7 в комнатных условиях [16]. На характер ИК спектров пленок с показателем преломления более двух (рис. 5) не влияет природа исходного углеводорода, в то время как спектры пленок с более низким показателем преломления (рис. 6) могут иметь некоторые отличия. Это связано с разной энергией ионизации углеводородных молекул в условиях конденсации пленок в плазме тлеющего разряда. С увеличением мощности разряда усиливаются процессы деструкции молекул углеводородов, что способствует образованию 4-х функциональных узлов разветвления, соединяющих отдельные элементы структуры аморфного углерода, повышению плотности упаковки атомов и росту показателя преломления пленок a-C:H [15].
Интенсивность полос ~1540 см-1 и 1600 см-1, наблюдаемых в ИК спектрах, которые соответствуют полносимметричным колебаниям в плоскости двойных кратных углеродных связей в полиеновых цепях и полициклических ароматических кольцах, а также полос 2100 и
1900 см-1 (рис. 5) и 2080 см-1 (рис. 6), обусловленных валентными колебаниями тройных связей в полииновых цепях, была мала. Сравнение ИК и КР спектров исследуемых пленок показало, что единственной общей полосой в них является полоса 1540 см-1, характерная для полиацетиленов.
Исследование дисперсии
Экспериментально было показано, что тонкие пленки a-C:H с показателем преломления, равным 2,0 и толщиной, соответствующей четверти длины волны, осажденные на обе стороны оптических элементов из германия, обеспечивают 100% просветление в области 4-5мкм благодаря отсутствию поглощения в этом интервале длин волн [15].
Пятая глава посвящена исследованию порога оптического пробоя воздуха вблизи поверхности лазерных медных зеркал с защитным покрытием на основе a-C:H при воздействии импульсов интенсивного излучения с длиной волны 10,6 мкм. Перспективность использования алмазоподобных пленок на основе a-C:H в качестве защитных покрытий для медных зеркал была впервые показана в работе [18]. Такое покрытие не вызывало изменения формы оптической поверхности, но уменьшало ее шероховатость, а также существенно повышало механическую прочность, коррозийную стойкость и лучевую прочность до 11 МВт/см2, не снижая при этом коэффициент отражения зеркала, благодаря прозрачности пленок a-C:H в этой области спектра.
Статистическая обработка
Несмотря на защитные свойства покрытия, позволяющие сохранять высокий коэффициент отражения зеркала, равный 98,4−99,0%, условия образования плазмы у его поверхности могли изменяться со временем [19]. Порог оптического пробоя зеркал с покрытием мог снижаться, а площадь разрушения увеличиваться при хранении образцов. Учитывая химическую стойкость защитного покрытия a-C:H, снижение порогов пробоя со временем может быть вызвано увеличением теплового сопротивления в результате понижения адгезии на границе раздела зеркала и покрытия, причиной которого может быть диффузия примесей с полированной поверхности металла.
Разброс экспериментальных значений пороговой плотности мощности q в зависимости от толщины покрытия d (рис. 7) свидетельствует о влиянии на развитие оптического пробоя у поверхности зеркала с покрытием a-C:H, по крайней мере, двух факторов, один из которых способствует повышению порога, а другой вызывает его снижение с увеличением толщины покрытия [20].
В отсутствии адгезионного контакта поток излучения, падающий на поверхность, должен полностью поглощаться покрытием за время действия лазерного импульса. В случае прозрачной пленки на слабый монотонный рост поглощения с увеличением толщины покрытия накладывается осцилляция, связанная с интерференцией света в слое. Для теоретического описания поглощательной способности медного зеркала c покрытием a-C:H было использовано известное решение классической задачи электродинамики об отражении света от плоского однородного слоя с резкими границами раздела и окаймляющими средами [Бонч-Бруевич А.М., Либенсон М.И. Нерезонансная лазеротермия в процессах взаимодействия интенсивного излучения с веществом. // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1982. Т. 46. № 6. С. 1104-1118]. Согласно расчету, плотность мощности, необходимая для разрушения покрытия a-C:H при отсутствии адгезионного контакта, монотонно возрастает с ростом толщины покрытия, как видно на рис. 7. При толщине покрытия, равной 0,7 мкм, значение плотности мощности, необходимой для полного разрушения покрытия, достигает 0,35 мВт/cм2, что на порядок ниже значений порога оптического пробоя, полученных экспериментально. Это позволяет сделать вывод о том, что причиной понижения порога с увеличением толщины покрытия, наблюдаемого на практике, является нарушение адгезионного и теплового контакта из-за ослабления силы сцепления покрытия с зеркалом на границе раздела [21].
|
Рис. 7. Экспериментальные значения (■) плотностей мощности импульсного ИК излучения приповерхностного пробоя медных зеркал и расчетные значения порогов лазерного разрушения покрытия a-C:H при нарушенном адгезионном контакте с зеркалом (●) в зависимости от толщины защитного покрытия. |
Полированная поверхность