Расчет биполярного высокочастотного транзистора

Рисунок 7 – Пластина после диффузии бора в область базы 

5. В процессе второй фотолитографии вскрываются  «окна» под эмиттерные области. Процесс происходит аналогично первому процессу фотолитографии, но различие данных процессов состоит в том, что во втором случае производится совмещение фотошаблона с метками, сделанными в первом фотолитографическом процессе. По окончании процесса появляется возможность выборочно контролировать пробивное напряжение р-n-переходов и выход годных по этому параметру структур.

Рисунок 8 – Пластина после второй фотолитографии 

     6) После второго процесса фотолитографии производят диффузию фосфора в эмиттерные «окна» на глубину аналогично диффузии бора. Режим диффузии фосфора выбирается в зависимости от требований к электрическим параметрам транзистора, методика процесса сходна с методикой диффузии бора. 

Рисунок 9 – Пластина после диффузии фосфора  в область эмиттера 

     7) Завершив предыдущие процессы, получаем готовую структуру. Для ее функциональности необходимы омические контакты. В процессе третьей фотолитографии вскрываются контактные площадки к областям эмиттера, базы и коллектора. 

Рисунок 10 – Пластина после третьей фотолитографии 

     8) Далее производится металлизация поверхности структуры, полученной в предыдущих процессах. Обычно металлизация осуществляется в среде вакуума и сопровождается тонкой пленкой металла на поверхности структуры. 

Рисунок 11 – Пластина после металлизации Al 

     9) В последнем процессе фотолитографии удаляют ненужные слои Al, после чего производится отжиг пластины для снижения переходных сопротивлений между пленкой металла и кремнием.

Рисунок 12 – Готовая структура 

     В полупроводниковой технологии предъявляются  очень высокие требования к качеству материалов, точности работы оборудования и условиям производства. Мехобработка осуществляется по высшему классу чистоты обработки поверхности. Особые требования предъявляют к термическому оборудованию: точность установки и поддержания температуры должна быть не хуже 0,5К. Газовая среда, в которой производят важные технологические процессы, подвергается тщательной осушке и обеспылеванию. При изготовлении фотошаблонов и совмещении очередного шаблона с рисунком, ранее нанесенном на полупроводниковую пластину, точность работы оборудования должна составлять десятые доли микрометра. Так же существует много других условий для изготовления полупроводниковых приборов. Соблюдение данных требований ведет к повышению выхода годных продуктов.