Расчет биполярного высокочастотного транзистора

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»).

Задание 2
Замечания руководителя 3
Введение 5
1 Расчетно-конструкторская часть 6
1.1 Выбор исходного материала и типа структуры транзистора 6
1.2 Расчет профиля легирующей примеси 8
1.3 Расчет пробивных напряжений 11
1.4 Расчет толщины коллекторного слоя 13
1.5 Расчет ширины области пространственного заряда (ОПЗ)
коллекторного и эмиттерного переходов 13
1.6 Расчет эффективности эмиттера 14
1.7 Расчет статических параметров 17
1.8 Эффект Хаузера 19
1.9 Частотные свойства 21
1.10 Выбор корпуса 24
1.11 Расчет семейства выходных вольтамперных
характеристик транзистора 26
2 Технологическая часть. Технология изготовления биполярного
высокочастотного транзистора 29
3 Графическая часть 35
Заключение 38
Список литературы 39