Физические основы микроэлектроники

       -9-

     Заключение

Наличие дислокаций в кристалле существенно сказывается  свойствах, характеристиках материала. Без учета этих дефектов невозможно уже представить многие области науки, связанные с кристаллами. Теория дислокации широко применяется нетолько  в материаловедении, но и в микроэлектролнике. И наряду с микронеоднородностью распределения примесей существование дислокаций является серьезным фактором, сдерживающим микроминиатюризацию интегральных элементов. Поэтому ведутся исследования по получению малобездислакационных кристаллов и на сегодняйший день удается получить практически бездислокационные кристаллы при выращивании их в условиях, свободных от физических напряжений, и при предельно малых температурных градиентах. В настоящее время в промышленных условиях изготавливаются малодислокационные полупроводниковые кристаллы с плотностью дислокаций порядка 10² см².  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

       -10-  

Список используемой литературы:

Р.Хоникомб      Пластическая деформация металлов. Перевод с английского.

Фридель            Дислокации

Рид                    Дислокации в кристаллах  

Осипьян Ю.А.  Взаимодействие электронов с дислокациями в кристалле. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

-11-