Автор работы: Пользователь скрыл имя, 25 Февраля 2011 в 06:20, курсовая работа
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней: новый метод характеризации ловушек в полупроводниках
1) Релаксационная спектроскопия глубоких уровней: новый метод характеризации ловушек в полупроводниках …………………………………3
2) Введение ………………………………………………………………………3
3) Релаксация емкости после импульсного изменения смещения. …………..5
4) Теория релаксационной спектроскопии глубоких уровней.……………… 9
5) Режимы работы ……………………………………………………………..14
6) Сравнение DLTS с другими емкостными методами ……………………...21
7) Список использованной литературы ………………………………………26