Ближайшим конкурентом Flash сегодня является память типа FRAM в традиционном интегральном исполнении, но имеющиеся серийные образцы пока еще сильно отстают  от Flash. Причем лучшие образцы ИС в  обеих технологиях по объему памяти отличаются более чем в 1000 раз, по удельному энергопотреблению почти  во столько же раз, а по времени  доступа микросхемы Flash и FRAM почти  одинаковы. Единственной преимущество FRAM — возможность произвольной адресации. Число циклов записи FRAM хоть и велико, но тоже, как и у Flash, конечно. Разрушающее  чтение и необходимость в восстановлении данных ограничивают скоростные параметры  данного типа памяти. Разумеется, это  не означает, что данная технология тупиковая ветвь развития энергонезависимой  памяти. ИС FRAM несомненно найдут свою нишу на рынке электронных приборов хотя бы потому, что они почти идеально подходят для взаимодействия с 8-разрядными микроконтроллерами, поскольку имеют  примерно равные скорости работы. К  тому же эту память характеризует  относительно низкое потребление. (В  сравнении с существующими серийными  ИС MRAM, например, оно меньше примерно в 10 раз!)

   Магнито-резистивная  память MRAM быстрее всех остальных  конкурентов и не имеет ограничений  на число обращений, но энергопотребление  и стоимость не позволяют применять  ее в массовых товарах. Если бы эра  электронных компонентов, начавшаяся с появлением IBM PC, не сменилась эрой мобильной и портативной электроники  с батарейным питанием, то перспективы MRAM виделись бы более радужными, чем  теперь.

   Сейчас  экономичность – одно из важнейших  качеств, каким должен обладать претендент на место универсальной памяти. Конечно, MRAM найдется место в аппаратуре и, прежде всего, в стационарных высокоскоростных устройствах с обычными источниками  питания, таких как оптоволоконные линии связи, радиолокация, научные  исследования в ядерной физике и  т. п., но массовым продуктом она пока быть не сможет.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Валентинова М. Полупроводниковая энергонезависимая  память. На перепутье // Электроника. Наука, технология, бизнес. 2003.
2. Нечаев Г. Наступление наноэры. Материалы сайта http://www.interself.ru/info/article.php?article_id=4.
3. Вихарев Л. Микросхемы энергонезависимой памяти: накануне революции // Компоненты и технологии. 2003.
4. Сообщение международного комитета International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) http://www.itrs.net/papers.html.
5. Зайцев И. Сравнение новых технологий энергонезависимой памяти // Компоненты и технологии. 2004.
6. Эпоха гигантских эффектов. Сообщение сайта http://www.newsit.ru/hardware/id_25928.