Исследование импульсных диодов

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 15 Марта 2012 в 21:41, лабораторная работа

Описание работы

Целью работы являются исследование полупроводниковых диодов в импульсном режиме: включение диода, отключение диода и переключение на обратное напряжение, экспериментальное определение основных параметров импульсных диодов, ознакомление с их классификацией, изучение конструкции и принципа действия диодов Шоттки.

Файлы: 1 файл

ЛАБА1! РАСПЕЧАТАТЬ!!!!!.docx

— 133.09 Кб (Скачать файл)

Iпр, мА

1

5

10

Uпр, мВ

1

1

1

Uпр н, мВ

250

350

450

tуст, мкс

2.5

2.5

2.5

Зарисуем на одном графике осциллограммы  напряжения Uпр(t) для различных значений Iпр:

 

Rобр,кОм

Rобр1=1

Rобр2=2

Rобр3=3

Iобрн, мА

Расчет

2,5*

1,25*

8,3*

Iобрн, мА

Измерение

0,35

0,4

0,45

Iобрн, мкА

1,75

2

2,25

tp, мкс

0,25

0,25

0,25

tвос , мкс

2

2,5

3

 

Вывод:

исследовали полупроводниковые диоды  в импульсном режиме: включение диода, отключение диода и переключение на обратное напряжение, экспериментально определили основные параметры импульсных диодов, ознакомились с их классификацией, изучили конструкции и принцип действия диодов Шоттки.

 

 

Информация о работе Исследование импульсных диодов