Автор работы: Пользователь скрыл имя, 29 Марта 2012 в 20:30, реферат
Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике, в общем виде формулируются следующим образом:
1.наибольшая диэлектрическая проницаемость при заданном значении ее стабильности при изменении температуры, частоты, напряженности электрического поля и т. д. минимальные диэлектрические потери;
2.максимальные электрическая прочность и удельное объемное сопротивление;
3.высокая устойчивость к электрохимическому старению; однородность материала и воспроизводимость свойств; малая стоимость и доступность исходного сырья.
-до -НО О W 60 Т'С
Рис. 7 24 Температурные зависимости диэлектрической проницаемости керамики ТНС-2500 при различной дисперсности порошка массы Удельная поверхность порошка (см2/г)" I — 3000, 2 — 1300
Отметим некоторые проблемы
и перспективы материаловедения
конденсаторной сегнетокерамики.
Таблица 7.3
Марка материала |
е при 20 °С |
Относительное изменение е в интервале температур от - 60 до + 125 вС |
Изменение реверсивной е (до Е— 0 5 кВ/мм), % |
Электрическая прочность кВ/мм |
Основная кристаллическая фаза |
Т-1000 |
1600—1800 |
±20 |
±10 |
в |
ВаТЮ+твердый раствор (Ва, Bi) тю8 |
Т 20Г0 |
2000- 2200 |
±30 |
±10 |
6 |
В aTi Oa-f твердый раствор (Ва, Bi), TrOs |
ТНС- 2500 |
2500-2700 |
±30 |
±10 |
5 |
BaTiOj-f твердый раствор BdTiOs — Sm208— Nb306 |
Одной из проблем является
повышение рабочей
Необходимо дальнейшее изучение
фаз на поверхности зерен, по своему
составу и структуре
Рнс. 7.25. Зависимость в и pv керамики с межзе ренными слоями от парциального давления кислорода
или Ti4+, способных замещать
последние в кристаллической решетке.
Такими оксидами являются, например, Sb203,
Y203, Nb2Oe и некоторые
оксиды редкоземельных металлов.
Ко второму виду добавок,
обусловливающих формирование диэлектрических
свойств межзеренных слоев, относятся
компенсирующие добавки — оксиды меди,
железа и некоторые другие. Количество
вводимых добавок мало (десятые и сотые
доли процента) и с позиции получения требуемых
свойств материалов очень критично. При
этом значительное влияние на электрические
свойства керамики оказывают технологические
факторы: размер зерен, параметры газовой
среды при обжиге, в частности парциальное
давление кислорода, определяющее концентрацию
кислородных вакансий в кристаллической
структуре. Так, например, действие восстановительной
газовой среды (малые концентрации кислорода)
приводит к образованию кислородных вакансий
и соответствующего количества донорных
центров (трехвалентный титан или ионизированные
кислородные вакансии). При высоких парциальных
давлениях кислорода компенсация избыточного
положительного заряда, вносимого легирующей
добавкой, осуществляется преимущественно
за счет вакансий по барию и не связано
с образованием донорных центров. Это
хорошо иллюстрируется рис. 7.25, где на
примере керамики с меж-
зеренными слоями (основная кристаллическая
фаза — твердый раствор ВаТЮ3—BaSn03,
легирующие добавки — оксиды сурьмы и
меди) представлены зависимости диэлектрической
проницаемости и удельного объемного
сопротивления от парциального давления
кислорода при обжиге при температуре
1380 °С. Оптимальное сочетание характеристик
(е«50 ООО, pv»109 Ом-см) обеспечивается
при давлении кислорода 2-104 Па, что
примерно соответствует его содержанию
в воздухе (см. рис. 7.25). На рис. 7.26 приведены
температурные зависимости диэлектрической
проницаемости образцов, обожженных при
этом давлении в различных режимах. Для
сравнения показана
зависимость е от температуры для исходного твердого раствора ВаТЮ3—BaSn03.. Видно, что с уменьшением времени выдержки точка Кюри смещается в область низких температур, одновременно наблюдается размытие фазового перехода. Сдвиг температуры Кюри объясняется только неравномерным распределением добавок по объему зерна, поскольку их слишком мало, чтобы существенно влиять на положение этой точки в случае равномерного распределения. Керамический материал с межзеренными слоями на основе системы ВаТЮя—BaSnOa, приготовленный по технологии, близкой к оптимальной, при использовании в качестве легирующих добавок оксидов сурьмы и меди имеет е«40ч-50 тыс., ру=109-+1010 Ом-см и tgfi= (3+5)-10-*.
Рис. 7.26 Температурная зависимость е твердого раствора ВаТЮз—BaSnOa (1) и керамики с межзеренными слоями на его основе для различных режимов обжига (2—5)
Наряду с разработкой полупроводниковой керамики с межзеренными слоями важной проблемой является также повышение диэлектрической проницаемости сегнетокерамики. Хотя возможности твердых растворов или сложных соединений на основе титаната бария нельзя считать исчерпанными, большие перспективы для создания керамических материалов с еще более высокой диэлектрической проницаемостью связываются с твердыми растворами на основе свинецсодержащих соединений со структурой перов- скита, например PbFet/3 W1/303—PbFe,/8Nb1/203, на основе которых были получены составы с 18000. Кроме того, необходимы глубокие фундаментальные исследования принципиально новых путей получения диэлектриков со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью.