Германієвий дрейфовий транзистор

     Для зменшення часу життя носіїв у  колекторних областях іноді проводять  дифузію золота з тильної сторони  пластини. Введення золота в підкладку  сприяє зменшенню коефіцієнта передачі струму бази паразитних транзисторів, завдяки чому помітно послаблюється вплив цих транзисторів. Після формування робочих областей за допомогою фотолітографії витравлюються вікна під контакти (маска 6) і у вакуумі проводять напилювання алюмінієвої плівки на всю поверхню пластини. Видалення алюмінію з тих ділянок, на яких він не потрібний, здійснюється за допомогою наступної фотолітографії.  
 

ВИСНОВКИ 

      В даній курсові роботі було:

    1. Розглянуто принцип роботи pnp-транзистора.

    2. Проведено розрахунок електричних параметрів, максимальної робочої частоти, знайдені вихідні характеристики, передаточна характеристика та її крутизна в області насичення за заданими розмірами.

    3. До кожного розрахунку розроблено програму  мовою програмування     Delphi 6.0.

    4. Проведено тепловий розрахунок, в результаті якого було вибрано тип корпусу для транзистора, який приведений на креслені в кінці роботи.

      Отже, в даній курсовій роботі було досліджено германієвий дрейфовий транзистор (p-n-p), який має важливе значення в інженерній практиці. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ПЕРЕЛІК ПОСИЛАНЬ 
 

1. Осадчук В.С., Осадчук О.В. «Транзистори». Навчальний посібник - Вінниця: ВДТУ, 2003. – 206 с.
2. Пасінков В.В., Чиркин Л.К. “Полупроводниковые приборы”. – М.: Высш. шк., 1987. – 479 с.
3. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. «Полупроводниковые приборы». – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
4. Крутякова, Чариков, Юдин «Полупроводниковые приборы и основы их проектирования».
5. Кравченко Ю.С., Смольков Є.О. Методичні вказівки. – Вінниця: ВДТУ, 2001. – 25 с. 
6. Росадо Л. «Физическая електроника и микроелектроника». – М.: Высш. шк., 1991. – 351 с.
7. Васильева Л.Д., Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади». – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с.
8. Лапцов «Цифровые устройства на МДП-струкрурах». – М.: Наука, 1972. – 265с.
9. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. «Полупроводниковые приборы». – М.: Энергоатомиздат, 1972. – 265 с.
10. http://www.krugosvet.ru/enc/nauka_i_tehnika/fizika/TRANZISTOR.html
11. http://www.salonav.com/Praktika/6.2003/HTM/tranz.htm
12. www.5ballov.ru