ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой

       Статические параметры в активном режиме.

       Статическим параметром для этого режима  служит статический коэффициент передачи тока в схеме  ОЭ:  

       Коэффициент h_21Э является интегральным коэффициентом передачи базового тока b, однако, статический коэффициент определяет как  пренебрегая током І_КБО, что вполне допустимо при условии, что І_Б ³ 20І_КБО.

       В качестве статического параметра активного  режима используется также статическая  крутизна прямой передачи в схеме  ОЭ:

       Статические параметры в режиме отсечки.

       В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе.

       Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно  используются во всех расчетах схем  на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи:

• обратный ток коллектора І_КБО – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера;
• обратный ток эмиттера І_ЭБО – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе коллектора;
• обратный ток коллектора І_КБК – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и при замкнутых накоротко  выводах эмиттера и базы;
• обратный ток І_ЭБК – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и при замкнутых накоротко  выводах коллектора и базы;
• обратный ток коллектор – эмиттер – ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении U_КЭ. Этот ток обозначается: І_КЭО – при разомкнутом выводе базы; І_КЭК – при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы; І_КЭR – при заданном сопротивлении в цепи базы – эмиттер; І_КЭX – при заданном обратном напряжении U_БЭ.

       Статические параметры в режиме насыщения.

       В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений между электродами транзистора, включенного по схеме ОЭ.

• Напряжение насыщение коллектор – эмиттер U_{КЭ нас} – это напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора;
• напряжение насыщение база – эмиттер U_{БЭ нас} – это напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.

       При  измерениях U_{КЭ нас} и U_{БЭ нас} ток коллектора  задается чаще всего  равным номинальному значению, а ток базы задается в соответствии с соотношением І_Б = К_насІ’_Б, где К_нас коэффициент насыщения; І’_Б ток на границе насыщения.  

       Статические параметры в области  пробоя.

       Основными параметрами  в этом режиме служат:

• пробивное напряжение коллектор – база U_{КБО проб} – это пробивное напряжение между выводами коллектора и базы при заданном обратном токе коллектора І_КБО и токе І_Э = 0.
• пробивное напряжение коллектор – эмиттер – пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе І_К.

       Напряжение  U_{КЭО проб}  определяется соотношением