План 
 

ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой.

 

       Электронно-лучевыми приборами называют такие электронные  электровакуумные приборы, в которых используется поток электронов, сконцентрированный в форме луча или пучка лучей. Электронно-лучевой прибор, имеющий форму трубки, обычно называют электронно-лучевой трубкой.

       Управление  пространственным положением луча осуществляется с помощью электрических (электростатическая отклоняющая система) и магнитных (магнитная отклоняющая система) полей, а управление плотностью тока – с помощью электрических полей. Электронно-лучевые приборы используются для получения видимого изображения электрических сигналов, а также для запоминания (хранения) сигналов.

       Отклоняющая система служит для управления положением луча в пространстве. В трубках  с магнитным управлением отклоняющая система состоит из двух пар отклоняющих катушек.

       

       Магнитная отклоняющая система обычно содержит две пары катушек, надеваемых на горловину трубки и образующих магнитные поля во взаимно перпендикулярных направлениях. Рассмотрим отклонение электрона магнитным полем одной пары катушек, считая, что поле ограничено диаметром катушки и в этом пространстве однородно. На рис.1 силовые линии магнитного поля изображены уходящими от зрителя перпендикулярно плоскости чертежа. Электрон с начальной скоростью V₀ движется в магнитном поле, вектор индукции B которого нормален к вектору скорости V₀, по окружности с радиусом

       

       По  выходе из магнитного поля электрон продолжает движение по касательной к его криволинейной траектории в точке выхода из поля. Он отклонится от оси трубки на некоторую величину z = L tga. При малых углах a » tg a; z » La.

        Величина центрального угла a = s/r » l₁/r, где s – кривая, по которой движется электрон в поле В. Подставляя сюда значение r, получаем: 

        Таким образом, отклонение электрона равно: 
 

       Выражая скорость V₀ электрона через напряжение на аноде, получаем:   

       

        Учитывая, что индукция магнитного поля пропорциональна числу ампер-витков wI, можно записать: 
 

       Конструкция отклоняющих катушек. Отклоняющие катушки с ферромагнитными сердечниками позволяют увеличить плотность потока магнитных силовых линий в необходимом пространстве. Катушки с ферромагнитными сердечниками применяются только при низкочастотных отклоняющих сигналах, так как с увеличением частоты отклоняющего напряжения возрастают потери в сердечнике. В телевизионных и радиолокационных электронно-лучевых трубках обычно применяются отклоняющие катушки без сердечника. Стремясь получить более однородное магнитное поле, края катушки отгибают, а саму катушку изгибают по форме горловины трубки. Витки в катушке распределяют неравномерно: Число витков на краях обычно в 2 – 3 раза больше, чем в середине. Для уменьшения поля рассеяния катушки без сердечника обычно заключаются в стальной экран.

       Достоинства и недостатки электростатической и магнитной систем отклонения. Отклонение луча магнитным полем в меньшей степени зависит от скорости электрона, чем для электростатической системы отклонения. Поэтому магнитная отклоняющая система находит применение в трубках с высоким анодным потенциалом, необходимым для получения большой яркости свечения экрана.

       К недостаткам магнитных отклоняющих  систем следует отнести невозможность их использования при отклоняющих напряжениях с частотой более 10 – 20 кГц, в то время как обычные трубки с электростатическим отклонением имеют верхний частотный предел порядка десятков мегагерц и больше. Кроме того, потребление магнитными отклоняющими катушками значительного тока требует применения мощных источников питания.

       Достоинством  магнитной отклоняющей системы  является ее внешнее относительно электронно-лучевой трубки расположение, что позволяет применять вращающиеся вокруг оси трубки отклоняющие системы.

Статические и физические параметры транзистора.

 

       Транзистором  называют электропреобразовательный  полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности, имеющий три или более выводов.

     Физические  параметры транзистора.

       Токи  в транзисторе определяются рядом  физических процессов в электронно-дырочных переходах и в объеме базы, характеризуемых соответствующими параметрами. Физические параметры играют важную роль при анализе работы транзистора на переменном токе с сигналами малых амплитуд. Большинство этих параметров являются дифференциальными величинами и используются в качестве так называемых малосигнальных параметров транзистора.

       Рассмотрим  основные процессы и физические параметры  транзистора.

1. Токи  в транзисторе.

       В активном режиме работы транзистора  дырки, инжектируемые из эмиттера, движутся затем в базе и втягиваются  полем коллекторного перехода, образуя коллекторный ток I_K. В следствие рекомбинации в базе и других причин I_K < I_Э. На основании закона Кирхгофа для токов в цепях электродов транзистора можно записать:  I_Э = I_K + I_Б.

       В активном режиме к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение и через переход течет ток I_Э, который содержит составляющие I_Эр и I_Эп – токов инжекции дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер, составляющую I_Эr – тока рекомбинации в эмиттерном переходе, а также ток утечки  I_Эу:      I_Э = I_Эр + I_Эп + I_Эr + I_Эу.

Токами  I_Эп, I_Эr, I_Эу пренебрежем:  I_Э » I_Эр.

       Ток коллектора – это ток через  переход, к которому в активном режиме приложено обратное напряжение. Помимо обратного тока через коллекторный переход протекает ток экстракции дырок из базы в коллектор равный дырочной составляющей эмиттерного тока за вычетом тока, обусловленного рекомбинацией дырок в базе.

       Ток базы может быть определен как  разность токов эмиттера и коллектора.

2. Обратные  токи переходов.

       Обратным  током коллектора (или эмиттера) называют ток при заданном обратном напряжении на коллекторном (или эмиттерном) переходе при условии, что цепь другого перехода разомкнута: I_Э = 0 (или I_К = 0)

       Поскольку обратный ток коллектора, определяемый процессами генерации носителей в коллекторе, базе и коллекторном переходе, представляет собой не управляемую процессами в эмиттерном переходе часть коллекторного тока. Ток I_КБО играет важную толь в работе транзистора в активном режиме, когда коллекторный переход находится под обратным напряжением.

       Соответственно  обратный ток эмиттера I_ЭБО представляет собой составляющую эмиттерного тока, значения которого определяется процессами генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода. Этот ток имеет важное значение при работе транзистора в инверсном режиме (эмиттерный переход включен в обратном направлении).

       Помимо  токов I_КБО и I_ЭБО, измеряемых в режиме холостого хода в цепи эмиттера или коллектора соответственно, в транзисторе различают также обратные токи I_КБК и I_ЭБК.

       Ток I_КБК, текущий через коллекторный переход при обратном напряжении на этом переходе, измеряется в условиях короткого замыкания цепи эмиттер – база. Аналогично ток I_ЭБК – это ток в эмиттерном переходе  при обратном напряжении на этом переходе  и при условии, что цепь коллектор – база замкнута накоротко.

3. Коэффициенты  передачи тока.

       С учетом понятия обратного тока коллектора ток I_К для активного режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока I_КБО и части эмиттерного тока,  который определяется потоком носителей, инжектированных в базу и дошедших до коллекторного перехода.

       Следовательно,

                                I_К = a I_Э + I_КБО.

        Величина

       называется  коэффициентом эмиттерного тока. Обычно a < 1. В инверсном режиме (коллекторный переход включен в прямом, а эмиттерный – в обратном направлении) ток эмиттера равен: 

                                I_Э = a₁I_К + I_ЭБО.

        Величина

       называется  инверсным коэффициентом передачи коллекторного тока. Как правило, a₁ < a.

       С помощью коэффициентов a и a₁ можно установить связь между обратными токами:

                                I_КБО = I_КБК(1 – aa₁); 

                                I_ЭБО = I_ЭБК(1 – aa₁); 

       В транзисторе, включенном по схеме  с  общим эмиттером, входным током  служит ток базы I_Б, а выходным, как и в схеме с ОБ,  то коллектора I_К. Для схемы ОЭ, широко применяемой в радиотехнических устройствах на транзисторах, используется  коэффициент передачи базового тока b. Выражение для b можно получить, решая его относительно тока I_К:

       

       Запишем это выражение в виде 

                                I_К = b I_Б + I_КЭО.

        Где      
 

        и   
 

       - обратный ток коллекторного перехода  в схеме ОЭ при I_Б = 0.

       Выражение для коэффициента передачи базового тока b легко получить используя эти соотношения:

       

     Статические параметры транзистора.

 

       Статические параметры транзистора характеризуют  свойства прибора в статическом  режиме, т.е. в том случае, когда  к  его электродам подключены лишь источники постоянных напряжений.

       Система статических параметров транзистора  выбирается таким образом, чтобы  с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее полно отобразить особенности статических  характеристик транзистора в различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки, активного режима и режима насыщения. К  статическим параметрам относятся также величины, отображающие характеристики  в близи пробоя.