Наночастицы

В первой половине 50-х годов XX в перед Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии Алфёрова Жореса Ивановича были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Введение.
Глава 1. Квантовые ямы
1.1 Технология изготовления квантовых ям
1.2 Особенности энергитических уровней
1.3 Применение квантовых наноструктур в электронике
Глава 2. Квантовые проволоки, нити
2.1 Квантовая проволока
2.2 Особенности квантовых проволок
2.3 Квантовые нити. Изготовление квантовых нитей
Глава 3. Квантовые точки
3.1 Технология изготовления квантовых точек
3.2 Особенности квантовых точек
Глава 4. Сверхрешётки
4.1 Сверхрешётки. Виды сверхрешеток
4.2 Физические свойства сверхрешеток
4.3 Технология изготовления сверхрешеток
4.4 Энергетическая структура полупроводниковых сверхрешеток
4.5 Исследование полупроводниковых сверхрешеток
4.6 Применение сверхрешеток в электронике
Заключение
Список литературы