Автор работы: Пользователь скрыл имя, 19 Апреля 2010 в 17:45, Не определен
ВВЕДЕНИЕ 5
РАСЧЕТ УПРАВЛЯЕМОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА ТИРИСТОРНОГО ЭЛЕКТРОПРИВОДА
Выбор рациональной схемы управляемого выпрямителя и силовая часть электропривода 6
Расчет и выбор преобразовательного трансформатора 6
Выбор тиристоров 8
Выбор сглаживающего реактора 9
Описание работы схемы УВ 10
Регулировочная характеристика выпрямителя. Расчет и 12
РАСЧЕТ ДВУХЗВЕННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ ДЛЯ ЧАСТОТНО-РЕГУЛИРУЕМОГО ЭЛЕКТРОПРИВОДА ПЕРЕКАЧКИ ЖИДКОСТИ
Описание электрической схемы электропривода 14
Структура и принцип действия преобразователя частоты с промежуточным звеном постоянного тока 14
Расчет инвертора 15
Потери мощности в IGBT 16
Расчет выпрямителя 19
Расчёт параметров охладителя 21
Расчет сглаживаемого фильтра 22
Расчет снаббера 24
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 29
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 30
ПРИЛОЖЕНИЯ 31
Основные блоки в системе управления:
- блок питания, содержащий
- микроконтроллер AD на базе сигнального процессора 1899BE1;
- плата индикации DS с переключателем способа управления местное / дистанционное;
- блок сопряжения ТВ по работе
с внешними сигналами или
- согласующие усилители UD – драйверы
IGBT.
2.2. Структура
и принцип действия преобразователя частоты
с промежуточным звеном постоянного тока
В преобразователе
применена наиболее распространенная
для управления асинхронным короткозамкнутым
двигателем схема ПЧ с автономным
инвертором напряжения (АИН) с широтно-импульсной
модуляцией (ШИМ) напряжения на выходе
и неуправляемым выпрямителем на
входе силовой части схемы
и микропроцессорным
Основные элементы, входящие в эту схему (П2): UZ – неуправляемый выпрямитель; L0, Со – фильтр; RT – термистор, ограничивающий ток заряда конденсатора С0; R0 – разрядное сопротивление для конденсатора Со, FU1, FU2 – предохранители; R, С – цепь защиты (снаббер) от перенапряжений на ключах IGBT; RS – датчик тока для организации защиты (FA) от сквозных и недопустимых токов перегрузки через IGBT; VT – VD – интегрированный трехфазный инвертор на IGBT с обратным диодным мостом.
Основные блоки в системе управления:
- блок
питания, содержащий восемь
- микроконтроллер AD на базе сигнального процессора 1899BE1;
- плата индикации DS с переключателем способа управления местное / дистанционное;
- блок
сопряжения ТВ по работе с
внешними сигналами или
- согласующие усилители UD – драйверы IGBT.
Работает
электропривод следующим
Для управления двигателем процессор формирует систему трехфазных синусоидальных напряжений, изменяемых по частоте и амплитуде, и передает их в модулятор, в котором синусоидальные сигналы управления фазами – “стойками” инвертора, состоящими из последовательно включенных ключей IGBT, преобразуются в дискретные команды включения и отключения транзисторов классическим методом центрированной синусоидальной ШИМ. Несущая частота ШИМ составляет от 5 кГц до 15 кГц.
Методика
расчета приводится для ПЧ с АИН
([3]рис. 7.2 ошибка
неверная ссылка на
рис), выполненного на гибридных модулях,
состоящих из ключей IGBT и обратных диодов
FWD, смонтированных в одном корпусе на
общей тепловыводящей пластине.
2.3. Расчёт
инвертора
Максимальный ток через ключи инвертора определяется из выражения:
(2.1)
А
А
где
Pн – номинальная мощность двигателя,
Вт; kI = (1,2–1,5) – коэффициент допустимой
кратковременной перегрузки по току, необходимой
для обеспечения динамики электропривода;
k2 = (1,1–1,2) – коэффициент допустимой
мгновенной пульсации тока; ηн –
номинальный КПД двигателя; Uл –
линейное напряжение двигателя, В.
Выпрямленное
среднее напряжение:
(2.2)
где Ксн
– схемный коэффициент неуправляемого
выпрямителя.
Тип транзистора выбираем по справочнику с постоянным током IC ≥ IC.max и постоянным напряжением UСЭ ≥ Ud. Выбираем модуль (полумост) IGBT фирмы Mitsubishi третьего поколения CM150D Y-12H с параметрами приведенными в табл.
Выбираем IGBT модуль при условии Iс ≥ Iс.макс. и Uce≥Ud
Выбрали 3 модуля CM150DY-12H для функциональной электрической схемы АД электропривода с ПЧ.
Таблица 1
Тип прибора | Предельные
параметры |
Электрические характеристики | Обратный диод | Тепловые и механические параметры | Масса,г | |||||||||||||
UCE(sat), B | Cies, нФ | Cоes, нФ | Cres,нФ | td(on),нс | tr,нс | td(off),нс | tf,нс | |||||||||||
UCES,B | IC,
A |
PC,
Вт |
типовое | максимальное | Uf,
B |
trr,нс | Rth(c-f),
oC/Вт |
IGBT | Диод | |||||||||
Rth(j-f),
oC/Вт | ||||||||||||||||||
CM300DY-12H | 600 | 300 | 1100 | 2,1 | 2,8 | 30 | 10,5 | 6 | 350 | 600 | 350 | 300 | 2,8 | 110 | 0,13 | 0,11 | 0,24 | 270 |
Примечание:
UCES – максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
IC – максимальный ток коллектора;
PC – максимальная рассеиваемая
мощность; UCE(sat)
– напряжение коллектор-эмиттер во включенном
состоянии; Cies – входная емкость;
Cоes – выходная емкость; Cres
– емкость обратной связи (проходная);
td(on) – время задержки включения;
tr – время нарастания; td(off)
- время задержки выключения; tf –
время спада; Uf – прямое падение
напряжения на обратном диоде транзистора;
trr – время восстановления обратного
диода при выключении; Rth(c-f) – тепловое
сопротивление корпус-охладитель; Rth(j-f)
– тепловое сопротивление переход-корпус.
2.4. Потери
мощности в IGBT
Потери в IGBT в проводящем состоянии
(2.3)
Вт
Вт
А (2.4)
где
Iср = Iс.макс/k1 – максимальная
величина амплитуды тока на входе инвертора;
D = (tp/T) – максимальная скважность,
принимается равной 0,95; cos θ – коэффициент
мощности, примерно равный cosφ; Uce(sat) –
прямое падение напряжения на IGBT в насыщенном
состоянии при Iср и Тj=125 °С
(типовое значение 2,1–2,2 В).
Потери IGBT при коммутации
, (2.4)
Вт
Вт
где
tc(on), tc(off) – продолжительность
переходных процессов по цепи коллектора
IGBT соответственно на открывание и закрывание
транзистора, с; Ucc – напряжение
на коллекторе IGBT (коммутируемое напряжение,
равное напряжению звена постоянного
тока для системы АИН–ШИМ), В; fsw
– частота коммутаций
ключей (частота ШИМ), обычно от 5000 до 15000Гц.
Суммарные потери IGBT
(2.5)
Вт
Потери диода в проводящем состоянии
(2.6)
Вт
где
Iеp = Iср
– максимум амплитуды тока через обратный
диод, А; Uec – прямое падение напряжения
на диоде (в проводящем состоянии) при
Iep, B.
Потери восстановления запирающих свойств диода
(2.7)
Вт
где Irr.
– амплитуда обратного тока через диод
(равная Icp), A; trr – продолжительность
импульса обратного тока, с (типовое значение
0,2 мкс).
Суммарные потери диода
(2.8)
Вт
Результирующие потери в IGBT с обратным диодом определяются по формуле
(2.9)
Вт
Максимальное допустимое переходное сопротивление охладитель - окружающая среда °C/Вт, в расчете на пару IGBT/FWD (транзистор/обратный диод)
(2.10)
0С/Вт
где
Та – температура охлаждающего
воздуха, 45–50 °С; Тс – температура
теплопроводящей пластины, 90–110 °С; Рm
– суммарная рассеиваемая мощность, Вт,
одной парой IGBT/FWD, Rth(c-f)
– термическое переходное сопротивление
корпус–поверхность теплопроводящей
пластины модуля в расчете на одну пару
IGBT/FWD, °С/Вт.
Температура кристалла IGBT определяется по формуле
(2.11)
0С
где
Rth(j-c)q – термическое переходное
сопротивление кристалл–корпус для IGBT
части модуля. При этом должно выполняться
неравенство Tja ≤ 125 0C.
Температура кристалла обратного диода FWD
(2.12)
0С
где
Rth(j-c)d – термическое переходное
сопротивление кристалл–корпус для FWD
части модуля. Должно выполняться неравенство
Тj ≤ 125 0C.
2.5. Расчет
выпрямителя
Среднее выпрямленное напряжение
(2.13)
В
где
kсн = 1,35 для мостовой трехфазной
схемы; kсн = 0,9 – для мостовой однофазной
схемы.
Максимальное значение среднего выпрямленного тока
(2.14)
А
где n – количество
пар IGBT/FWD в инверторе.
Максимальный рабочий ток диода
(2.15)
А
А
где
при оптимальных параметрах Г-образного
LС-фильтра, установленного на выходе выпрямителя,
kcc =1,045 для мостовой трехфазной схемы;
kcc = 1,57 для мостовой однофазной схемы.
Максимальное обратное напряжение вентиля (для мостовых схем)
(2.16)
В
В
где
kc ≥ 1,1– коэффициент допустимого
повышения напряжения сети; k3H –
коэффициент запаса по напряжению (>1,15);
ΔUн – запас на коммутационные выбросы
напряжения в звене постоянного тока (≈100–150
В).
Вентили выбираются по постоянному рабочему току и по классу напряжения. Выбираем диодный модуль RM150DZ-2H со средним прямым током IFAV = 150 А и импульсным повторяющимся обратным напряжением URRM = 1600 В (шестнадцатый класс). Нам потребуется три таких вентиля. Из трех диодных модулей реализуется мостовая схема трехфазного выпрямителя.