Биполярные транзисторы
Курсовая работа, 28 Февраля 2011
Цель работы — получение модельных характеристик транзисторов и их занесение в библиотеку МС7, а также установка рабочей точки в промежуточном каскаде УНЧ и настройка УНЧ в заданной полосе частот.
В процессе работы проводились экспериментальные исследования в лаборатории и моделирование экспериментальных исследований в программе МС7.
Биполярные транзисторы
Реферат, 09 Ноября 2015
В 1948г. американские ученые Дж.Бардин и В.Браттейн создали полупроводниковый триод, или транзистор. Это событие имело громадное значение для развития полупроводниковой электроники. Транзисторы могут работать при значительно меньших напряжениях, чем ламповые триоды, и не являются простыми заменителями последних: их можно использовать не только для усиления и генерации переменного тока, но и в качестве ключевых элементов. Определение «биполярный» указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух сортов (электроны и дырки). Слово «транзистор» произошло от английского словосочетания «transfer resistor» - преобразователь сопротивления.
История развития транзисторов
Реферат, 19 Декабря 2010
Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм.
Расчет биполярного транзистора
Курсовая работа, 04 Июля 2017
Транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. В связи с тем, что транзисторы очень легко приспосабливать к различным условиям применения, они почти полностью заменили электронные лампы. На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности - полупроводниковая электроника.
Основными областями применения транзисторов являются радиоэлектроника, цифровая электроника, военная промышленность, тяжелая промышленность, бытовая техника, электроэнергетика, связь и т.д.
История изобретения транзистора
Реферат, 03 Апреля 2011
Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое–же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника. Как самостоятельное направление науки и техники электроника сформировалась благодаря электронной лампе. Сначала появились радиосвязь, радиовещание, радиолокация, телевидение, затем электронные системы управления, вычислительная техника и т.п.
Германієвий дрейфовий транзистор
Курсовая работа, 04 Апреля 2011
В даній курсовій роботі розглянуто принцип роботи n-p-n транзистора; проведено розрахунок електричних параметрів, максимальної робочої частоти, знаходження вихідних характеристик, передаточної характеристики та її крутизну в області насичення за заданими розмірами; до кожного розрахунку розроблено програму мовою програмування Delphi 6.0; проведено тепловий розрахунок транзистора.
Параметры биполярных транзисторов
Реферат, 03 Марта 2015
Тип транзистора с тремя слоями полупроводника, различают n-p-n и p-n-p транзисторы, где n (negative) – электронный тип примесной проводимости, p (positive) – дырочный. Основные носители заряда: электроны и дырки («би» – два); электроды эмиттер, база, коллектор.
Принцип работы биполярного транзистора
Контрольная работа, 20 Марта 2011
Биполярным транзистором (БТ) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами, предназначенный для усиления электрических колебаний по току, напряжению или мощности.
Работа транзистора при больших уровнях сигнала
Контрольная работа, 08 Сентября 2011
Графический метод основан на использовании статических характеристик усилительного элемента, представляющих собой экспериментально определенные нелинейные зависимости между токами и напряжениями в его цепях, относящиеся к режиму короткого замыкания (статический режим) и являющиеся типовыми (усредненными) для усилительного элемента данного типа.
Расчет биполярного высокочастотного транзистора
Курсовая работа, 19 Января 2011
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»).
Полевые транзисторы. Их применение в цифровой технике
Курсовая работа, 08 Января 2016
Актуальность темы. Полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы и интегральные схемы используются весьма широко в различных устройствах специальной и бытовой техники, таких, как плееры, телевизоры, автомобили, стиральные машины и компьютеры.
Полупроводниковые приборы прочно вошли в нашу жизнь, их характеристики продолжают совершенствоваться, а цена - снижаться. Особенно характерно это на примере компьютеров, когда сложность и характеристики современного компьютера значительно превышают возможности персональных компьютеров пятилетней давности.
Расчет предварительных каскадов УНЧ на биполярных транзисторах
Курсовая работа, 02 Июня 2012
Основными техническими показателями УНЧ являются: коэффициенты усиления (по напряжению, току и мощности), входное и выходное сопротивления, выходная мощность, коэффициент полезного действия, номинальное входное напряжение (чувствительность), диапазон усиливаемых частот, динамический диапазон амплитуд и уровень собственных помех, а также показатели, характеризующие нелинейные, частотные и фазовые искажения усиливаемого сигнала.
Исследование усилительного каскада с общим эмиттером на биполярном транзисторе
Лабораторная работа, 08 Марта 2011
Исходные данные для расчета и компьютерного анализа и синтеза:
• Напряжение питания каскада: Eс = 10 В.
• Сопротивление нагрузки каскада: RLoad=5 кОм.
• Нижняя граничная частота усиления, определяемая по уровню
Оценка эффективности использования оборотных средств и пути ее повышения на ОАО «Интеграл» филиал «Транзистор»
Курсовая работа, 05 Февраля 2011
Предмет исследования - организация оборотных средств для обеспечения высоких темпов развития хозяйственной деятельности на ОАО «Интеграл» филиал «Транзистор».
Основные функции, выполняемые оборотными средствами: обеспечение непрерывности процесса производства и реализации продукции, полноты и своевременности финансирования коммерческой деятельности.
Цель работы: анализ оборотных средств ОАО «Интеграл» филиал «Транзистор», их структуры и состава, анализ эффективности использования оборотных средств, а также разработка мероприятий по улучшению управления оборотными средствами и ускорению оборачиваемости.