Разработка и расчет электронного устройства

      в первичной:

                               W_I=U_I·(1-ΔU_I/100)·10⁴/(4,44·f_с·B·S_c);                                  (55)

      во  вторичных:

                              W_n=U_n·(1+ΔU_I/100)·10⁴/(4,44·f_с·B·S_c);                                (56)

где ΔU- падение напряжений в обмотках трансформатора по [2, рисунок19, стр. 29] принимаем U_I=12%; U_n=16%;

W_I=220·(1-12/100)·10⁴/(4,44·50·1,1·3,2)=2480;

W₂=44,5·(1+16/100)·10⁴/(4,44·50·1,1·3,2)=660;

W₃=12·(1+16/100)·10⁴/(4,44·50·1,1·3,2)=180;

W₄=26,8·(1+16/100)·10⁴/(4,44·50·1,1·3,2)=400;

W₅=55·(1+16/100)·10⁴/(4,44·50·1,1·3,2)=820;

      Находим диаметры проводов обмоток трансформатора (без учета толщины изоляции), мм:

                                               D_n=1,13√I_n/J;                                                      (58)

D₁=1,13√88,3·10^-3/3,4=0,182 мм;

D₂=1,13√45,7·10^-3/3,4=0,131 мм;

D₃=1,13√661,8·10^-3/3,4=0,499 мм;

D₄=1,13√44,5·10^-3/3,4=0,129 мм;

D₅=1,13√45·10^-3/3,4=0,13 мм;

      Таким образом, обмотка I имеет 2480 витков провода ПЭВ-2 0,2, обмотка II - 660 витков провода ПЭВ-1 0,14, обмотка III – 180 витков провода ПЭВ-1 0,5, обмотка IV – 400 витков провода ПЭВ-1 0,14, обмотка V – 820 витков провода ПЭВ-1 0,14.

      Трансформатор питания следует тщательно экранировать. Экран лучше изготовить из мягкой стали толщиной не менее 1 мм.  Также  необходимо изолировать медным экраном  II, IV и V обмотки.

      Схема блока питания приведена на третьем  листе графической части.

      В схеме используются резисторы:

      R2, R4, R6, R8, R10, R12 – подстрочные типа СПЗ-38 номинальной мощностью 0,25Вт;

  Остальные – типа МЛТ номинальной мощностью 0,25Вт;

      В схеме используются конденсаторы:

      С1-С8 – алюминиевый аксидно - электролитический типа K50-16;

      C10, C12, C14, C16, C18, C20 - алюминиевый аксидно - электролитический типа K50-6;

      Остальные – керамические типа КМ-6, с группой  ТКЕ Н90. 

 

Библиографический список: 

1. Лурье М. С. «Промышленная электроника» - Красноярск: КГТА, 1995.- 48с.
2. Лурье М. С. «Промышленная электроника» - Красноярск: КГТА, 1996.- 180с.
3. Батушев В.А. «Микросхемы и их применение» - М.: РАДИО и СВЯЗЬ, 1983.-
4. Терещук Р. М. «Полупроводниковые приемно-усилительные устройства» – Киев: Наукова думка, 1981.-671с., с ил.
5. Гришина Л. М.«Полевые транзисторы»–М.: РАДИО и СВЯЗЬ, 1982. –72с.
6. Чернышев А.А.«Диоды и тиристоры» - М.:Энергия, 1976.– 200с., с ил.272с.
7. «АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ», А.Л. Булычев, В.И. Галкин, В. А. Прохоренко, «Беларусь» 1985.
8. «Радиотехника», И.П. Жеребцов, «Связь» 1965.
9. «Справочник Радиолюбителя», М. Р. Терещук, Р. М. Домбругов, Н. Д. Босый, издательство академии наук УССР, Киев 1962.
10. «Транзисторы и полупроводниковые диоды», справочник, «Связьиздат», 1963.
11. «Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы», справочник, «Энергоатомиздат», 1982.
12. «Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы», справочник, «Радио и Связь», 1990.

 

 

Приложение 1 

      Текст программы для расчета коэффициента а, при проектирование полосового фильтра. 

Program filtr;

uses

CRT;

Var

f1,f2,f0,a,b,c,W,p:real;

i:integer;

Begin

ClrScr;

Write ('Введите коэффициент b= ');

readln (b);

Write (''Введите коэффициент c= ');

readln (c);

  Write ('Введите нижнюю частоту пропускания f1= ');

 readln (f1);

  Write (''Введите верхнюю частоту пропускания f2= ');

 readln (f2);

   Writeln;

f0:=(f1+f2)/2;

W:=(f2-f1)/f0;

For i:=1 to 20000 do begin

a:=i/10000;

p:=(a*a)+(sqr((a*W*b)/(c*(1+a*a))))+(1/(a*a))-2-((W*W)/c);

if p<0.0001 then break;

end;

Writeln ('Средняя частота диапазона',f0:3:2);

 Writeln;

 Writeln ('Относительная полоса пропускания',W:3:2);

 Writeln;

Writeln ('Коэффициент  a',a:2:5);

ReadKey;

end.