Расчет транзисторного усилителя

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 17 Декабря 2013 в 10:18, курсовая работа

Описание работы

Усилитель — это электронное устройство (четырехполюсник), увеличивающее мощность сигнала. Увеличение мощности входного сигнала происходит за счет преобразования энергии источника питания в энергию выходного сигнала. Форма сигнала при усилении должна сохраняться без существенных искажений.
Усилители используются для компенсации потерь при передаче информационных сигналов на большие расстояния, для обеспечения работы регистрирующих устройств, для создания нормальных условий восприятия информации человеком и т. д. Например, для обеспечения работы громкоговорителей мультимедиа-компьютера, как правило, требуется усилитель, так как поступающие от источников звуковые сигналы имеют недостаточную мощность.

Содержание работы

Введение 3
Задание 8
1. Каскад с общим эмиттером 9
2. Расчет каскада по постоянному току 10
3. Расчет каскада по переменному току 12
4. Список литературы 16
5. Заключение 17

Файлы: 1 файл

Курсовая по эл и эл моя.doc

— 225.00 Кб (Скачать файл)

- устраняет отрицательную обратную связь по переменному току, так как переменный ток замыкается не через резистор , а через этот конденсатор. Вывод эмиттера через конденсатор Сэ соединяется по переменному току с общей шиной, поэтому каскад называется с общим эмиттером.

 

2. Расчет каскада  с ОЭ по постоянному току

 

2.1. Определяем напряжение питания:

                               Епит=0,8Uк.доп=0,8*100=80 B

2.2. Расчет каскада на транзисторе VT с общим эмиттером производим в классе А и проектируем выходной каскад на 80%-ю мощность Pк.доп, рассеиваемую транзистором в режиме покоя [1, 2]:

                          Рк.пок=0,8Рк.доп=0,8*0,2=0,16 Вт

 2.3. Задаем напряжение покоя эмиттера:

Еэ.пок=0,1Епит=0,1*80=8 В

2.4. Выбираем рабочую точку Р.Т. в середине динамической характеристики транзистора, что соответствует напряжению покоя коллектора:

                     Uк.пок=0,5*(Eпит - Еэ. пок.)=0,5*(80-8)=36 В

    1. Рассчитываем ток покоя коллектора:

Iк.пок=Рк.пок =0,16 = 0,0044 А

                                                   Uк.пок          36

    1. Находим сопротивление токоограничивающего резистора в цепи коллектора Rк:

Rк=Епит-Uк.пок =  9900 Ом

                                                           Ik.пок

 

Выбираем резистор МЛТ- 10кОм.

    1. Находим мощность, рассеиваемую на резисторе Rк:

P=I2к.покRk=0,0044^2*9900=0,19556 Вт

Выбираем резистор мощностью 0,2 Вт.

    1. При разбросе значений коэффициента передачи В транзистора с ОЭ от минимального значения до максимального среднее значение по формуле [1]:

,

где Rн =10 кОм– сопротивление нагрузки, выберем равным сопротивлению Rк с целью согласования (для максимальной передачи мощности).

    1. Находим напряжение покоя базы:

Uб.пок=Uэ.пок+Uэ.порог=8+0,7=8,7 В

    1. Определяем ток покоя базы:

Iб.пок=Iк.пок =0,0044 =0,000222 А

                                               Вср = 20

    1. Задаем ток делителя через резисторы R , R :

Iдел=5*Iб.пок=5*0,000222=0,00111 А

    1. Находим сопротивление резистора :

                                         R1=Eпит-Uб.пок        =    53475 Ом

                                                Iдел+ Iб.пок     

Выбираем резистор 56 кОм по ряду Е12.

Определяем мощность резистора R1:

                    Р=( Iдел+ Iб.пок)2R1=0,095 Вт

Выбираем резистор на мощность 0,125 Вт.

    1. Находим сопротивление резистора R2:

                                                R2= Uб.пок    =7830 Ом        

Iдел     

Выбираем резистор 8,2 кОм по ряду Е12.

Определяем мощность резистора R2:

                    Р= I2дел R2 =0,00967 Вт

Выбираем резистор на мощность 0,125 Вт.

    1. Находим сопротивление резистора :

Rэ   = Uэ.пок = 1714 Ом

                                                      Iк.пок+Iб.пок

Выбираем резистор 1,8 кОм по ряду Е12.

Определяем мощность резистора Rэ:

P=( Iк.пок+ Iб.пок)2 Rэ =(0,022+0,0355)2*27,826=0,037 Вт

Выбираем резистор на мощность 0,125 Вт.

Контуры замыкания постоянных токов Iдел,  Iб.пок, Iк.пок показаны на рис.6 (пунктирные линии). Эти токи создает источник питания Епит.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. Расчет каскада по переменному току

 

Исходные данные:

fн=100 Гц – нижняя граничная частота входного сигнала.

rэ= 10 Ом – дифференциальное сопротивление эмиттерного p-n.

rб= 50 Ом – объемное сопротивление базы.

Uэ.порог = 0,7 В – пороговое напряжение отпирания эмиттерного p-n  перехода;

rк=10 кОм - дифференциальное сопротивление коллекторного p-n.

Rист.с=600 Ом – внутреннее сопротивление источника входного сигнала.

Rк=Rн=10 кОм

Rвх=rб+(1+Вср)rэ=260 Ом

Wн=2Пfн=6,28*100=628 рад/сек

Rэкв1=Rист.с +Rвх=600+50+(1+20)*1800= 37850 Ом

Rэкв2 = Bср*(Rkrk/Rk+rk)+Rн=110 кОм

 

Переменный сигнал идет на уровне постоянного сигнала, поэтому на выход усилителя проходит как положительная, так и отрицательная полуволны входного сигнала. Энергия для усиления сигнала отбирается от источника питания Епит. Для отделения переменных составляющих от постоянных, ставят конденсаторы C1, C2, Cэ.

Введем понятие частотных искажений, обусловленных постоянными времени ТС1, ТС2, ТСэ цепей по которым заряжаются и разряжаются конденсаторы C1, C2, Cэ в схеме усилителя:

,

Частотные искажения  показывают на сколько снижается амплитуда переменного сигнала при прохождении через конденсаторы на низкой или высокой частотах. На средних частотах сопротивление конденсаторов мало и падением напряжения на конденсаторах пренебрегают. На высоких частотах учитывается барьерная емкость коллекторного перехода и зависимость коэффициента передачи тока базы В от частоты, при этом амплитудно-частотная характеристика усилителя на высоких частотах повторяет указанную зависимость (рис. 1).

На заданной низкой частоте  fн=100 Гц распределяем стандартный коэффициент низкочастотных искажений по конденсаторам С1,  С2, Сэ, усилительного каскада

Мн1М2Мэ=1,05*1,05*1,1=1,2175

Для конденсатора  Сэ коэффициент Мэ увеличиваем до значения 1,2175, так как он зашунтирован меньшим сопротивлением, по сравнению с другими конденсаторами.

 

Исходные данные:

Вср=6,2 – средний коэффициент усиления

fн=100 Гц – нижняя граничная частота входного сигнала.

rэ= 10 Ом – дифференциальное сопротивление эмиттерного p-n.

rб= 50 Ом – объемное сопротивление базы.

rк=10 кОм - дифференциальное сопротивление коллекторного p-n перехода;

Rист.с=600 Ом – внутреннее сопротивление источника входного сигнала;

 

Rэкв1=Rист.с +Rвх=600+50+(1+1,62)*10=38450 Ом

Rэкв2 = Bср*(Rkrk/Rk+rk)+Rн=110000 Ом

Rэкв.э= rэ=10 Ом

Wн=2Пfн=6,28*100=628 рад/сек

 

 

  1. Рассчитываем значение конденсатора С1:

=0,129мкФ

 

Выбираем конденсатор С =  0,12 мкФ  

  1. Рассчитываем значение конденсатора С2:

 

0,045215333

Выбираем конденсатор С2=  0,047 мкФ  

  1. Рассчитываем значение конденсатора Сэ:

=229*10-6Ф

 

Выбираем электролитический конденсатор Сэ= 220 мкФ.

 

  1. Находим коэффициент усиления каскада по напряжению на средних частотах:

Ku=-Bс   Rк =-20*  10000 =-5,201

                                          Rист.с+Rвх                 37850

где знак минус отражает поворот фазы выходного сигнала на 180о относительно входного.

  1. Находим коэффициент усиления по току на средних частотах:

КI=-BсрRк  =-20* 10000 =-10

                                            Rк+Rн                        20000

  1. Находим коэффициент усиления по мощности сигнала, действующего на базе транзистора

Кp=KuKI =(-5,201)*(-10)=52,01

 

 

 

                                                     

 

 

4. Список литературы:

1.  Белов Г.А. Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное пособие для вузов. Чебоксары: Изд-во Чуваш. Ун-та, 2004.-780 с.

2.  Кучумов А.И. Электроника и схемотехника – Москва «Гелиос АРВ», 2004.

3.  Захаров В.Г. Расчет электрических цепей по модифицированным правилам Кирхгофа: Учеб. пособие. Чебоксары: Изд-во Чуваш.ун-та, 2006. 128 с.

  1. Нефедов А.В., Аксенов А.И. Отечественные транзисторы бытовой, промышленной и специальной аппаратуры: Справочное пособие. Москва, «Солон-Пресс» 2006

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. Приложение. Типы и параметры транзисторов.

вар

(стр)

Тип

транзистора

Uк.доп,

В

Iк.доп,

мА

Вмин-

макс

P,

Вт

Струк-тура

1 (39)

КТ3179А9

150

55

65

0,2

n-p-n

2 (37)

КТ3176А9

35

500

60

0,2

n-p-n

3 (35)

КТ3173А9

30

530

500

0,2

n-p-n

4 (33)

КТ3171А9

15

530

50

0,2

n-p-n

5 (31)

КТ3153А9

60

400

100-300

0,3

n-p-n

6 (28)

КТ3151А9

80

100

20

0,2

n-p-n

7 (26)

2Т3130А9

50

100

100-250

0,2

n-p-n

8 (16)

КТ218А9

80

50

20

0,2

p-n-p

9 (13)

КТ216А

60

10

9-50

0,075

p-n-p

10 (12)

2Т214А9

100

100

20

0,2

p-n-p

11 (10)

КТ209В2

15

300

200

0,2

p-n-p

12 (8)

2Т215А9

100

50

20

0,2

n-p-n

13 (57)

КТ3170А9

40

30

100

0,25

n-p-n

14 (14)

КТ3172А9

20

20

40

0,2

n-p-n

15 (61)

2Т3175А9

50

100

250-1000

0,35

n-p-n

16 (54)

КТ3142А

40

200

40-120

0,36

n-p-n

17 (53)

2Т3115А-6

10

8,5

15-110

0,05

n-p-n

18 (51)

КТ368А-5

15

30

50-450

0,225

n-p-n

19 (50)

2Т368А9

15

30

50-300

0,1

n-p-n

20 (49)

КТ339АМ

40

25

25

0,26

n-p-n

21 (47)

2Т316А-5

10

30

20-60

0,15

n-p-n

22 (63)

2Т370А9

15

15

20-70

0,03

p-n-p

23 (65)

КТ3126А9

35

30

25-150

0,11

p-n-p

24 (66)

КТ3128А9

35

20

15-150

0,11

p-n-p

25 (19)

КТ3816

25

15

40

0,015

p-n-p

26 (63)

2Т370Б9

15

15

40-120

0,11

n-p-n

27 (8)

2Т215Б9

90

50

30-90

0,2

n-p-n

28 (8)

2Т215В9

80

50

40-120

0,2

n-p-n

29 (8)

КТ215Г9

60

50

40-120

0,2

n-p-n

30 (8)

КТ215Д9

30

50

80

0,2

n-p-n


 




Информация о работе Расчет транзисторного усилителя