Моделювання процесів перемагнічення тонкого феромагнітного листа зі змінним вмістом кремнію за товщиною

Розрахунок і проектування будь-якого електротехнічного пристрою провадиться на основі його еквівалентної схеми (схеми заміщення) або з використанням понять, що відносяться до такої схеми. Для багатьох пристроїв, що містять феромагнітні осердя, традиційну схему заміщення прийнятної точності скласти не вдасться, оскільки магнітопровід необхідно розглядати як систему з розподіленими параметрами, що не має простого «образа» у виді зосереджених опорів, індуктивностей і ємностей

Перелік умовних позначень, символів, одиниць, скорочень і термінів…6
Вступ…………………………………………………………………………9
1 Обгрунтування напрямку дослідження…………………………………11
1.1 Задачі моделювання……………………………………………………11
1.2 Рівняння, що описують намагнічування тонкого феромагнітного листа від джерела напру-ги………………………………………………………………18
1.3 Постановка задачі………………………………………………………22
1.4 Актуальність роботи……………………………………………………23
2 Теоретичні та експерементальні дослідження…………………………24
2.1 Математична модель перемагнічення тонкого феромагнітного листа з урахуванням зміни вмісту кремнію по перерізу…………………………………24
2.2 Моделювання при зміні (х) за нелінійним законом та урахуванням гістерезисних властивостей………………………………………………………26
2.2.1 Моделювання втрат енергії відносно частоти з урахуванням і без урахування коефіцієнтів сти-скання………………………………………………28
2.2.2 Моделювання петлі гістерезису………………………………………32
2.2.1 Моделювання втрат енергії відносно процентного вмісту кремнію з урахуванням коефіцієнтів стискання на різних частотах та ампліту-дах………35
3 Техніко-екномічне обгрунтування………………………………………43
4 Опис програми……………………………………………………………44
4.1 Вибір і обґрунтування програмного забезпечення……………………44
4.2 Опис програми…………………………………………………………45
4.3 Схема алгоритму………………………………………………………48
Висновок……………………………………………………………………51
Список використаних джерел………………………………………………