Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Дипломная работа, 28 Марта 2011, автор: пользователь скрыл имя

Описание работы


Цель дипломной работыя. поставить лабораторную работу исследо-
вательского характера и разработать методику ее выполнения для
практикума по физике полупроводниковых приборов с исследованием
вольт-амперных характеристик не только ставших широко известных
полупроводниковых приборов диодов и транзисторов, но и абсолютно
новых приборов разработанных и исследуемых на кафедре - ТУННЕЛИС-
ТОР и БИСПИН.

Файлы: 1 файл

полупроводниковые приборы.doc

— 313.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

Открыть текст работы Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур