Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Декабря 2010 в 00:17, Не определен
реферат
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ЭКОНОМИКИ 
И ФИНАНСОВ 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Реферат по информатике
 
на тему: 
«Технические 
и эксплуатационные 
характеристики устройств (флэш-устройства)» 
 
 
 
 
 
 
 
Выполнила:  
Преподаватель: 
. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Санкт-Петербург
2009 г.
Введение
По практичности флэш-устройствам нет равных среди всех сменных носителей. Большой и постоянно растущий объем, высокое быстродействие и надежность хранения данных, компактность, низкое энергопотребление и, наконец, удобство подключения — вот секрет их популярности. За последнее десятилетие флэш-устройства стали одними из самых популярных носителей информации.
Я считаю, что реферат на данную тему является актуальным, так как мы повседневно используем данные носители информации и должны знать их характеристики для более эффективной работы с этими устройствами.
Для того, чтобы разобраться в принципе работы флэш-устройств и выявить основные их свойства, нужно начать с определения.
Флэш-устройство – это носитель информации, использующий флэш-память для хранения данных.
     Так 
как принцип работы устройства основан 
на принципе действия флэш-памяти, я начну 
исследование данной темы именно с неё 
(флэш-памяти). 
Флэш-память.
Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока в 1984 году. Имя «флеш» было придумано коллегой Фудзи, Сёдзи Ариизуми, потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash).
Флэш-память - особый вид энергонезависимой, перезаписываемой полупроводниковой памяти. Если рассматривать подробнее:
В отличие от многих других типов полупроводниковой памяти, ячейка флэш-памяти не содержит конденсаторов – типичная ячейка флэш-памяти состоит всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры. Ячейка флэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря успехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным находкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько бит информации.
Флэш-память исторически происходит от ROM (Read Only Memory) памяти, и функционирует подобно RAM (Random Access Memory). Данные флэш хранит в ячейках памяти, похожих на ячейки в DRAM, но в отличие от DRAM, при отключении питания данные из флэш-памяти не пропадают. Не смотря на такие отличительные способности Flash-памяти, замены памяти SRAM и DRAM флэш-памятью не происходит из-за двух особенностей флэш-памяти: флэш работает существенно медленнее и имеет ограничение по количеству циклов перезаписи (от 10.000 до 1.000.000 для разных типов).
Существует 2 типа флэш-памяти:
NOR
В основе этого типа флеш-памяти лежит элемент, основанный на принципе ИЛИ-НЕ(NOR – логическая операция НЕ-ИЛИ; принимает значение "истина" только когда на оба входа подается "ложь").
Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.
Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.
Чип NOR-памяти можно очистить только целиком. Хотя в более современных видах данной технологии чип разбит на несколько блоков, занимающих обычно 64, 128 или 256 Кбайт. Зато этот тип памяти имеет внешнюю шину адресов, что позволяет побайтное чтение и программирование (запись). Это позволяет не только максимально точно получать доступ к данным напрямую, но и исполнять их прямо "на месте", не выгружая всю информацию в оперативную память.
     В 
NOR архитектуре к каждому 
NAND
В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент. Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.
     NAND 
и NOR архитектуры сейчас существуют 
параллельно и не конкурируют 
друг с другом, поскольку находят 
применение в разных областях 
хранения данных.  
     Вывод: 
таким образом, можно заметить, что 
у NAND-флэш-памяти больше скорость записи 
и меньше площадь чипа. 
Типы карт флэш-памяти
Существуют несколько типов карт памяти, используемых в портативных устройствах:
Compact Flash (CF). CF - один из самых старых и распространенных стандартов карт флэш-памяти, доживших до наших дней. Существует два типа карт CF, это CF I (размеры 43×36×5 мм) и CF II (размеры 43×36×3,3 мм). Существование карт такого размера в наши дни обусловлено тем, что тип CF всегда лидировал по максимальному объёму памяти, хотя в последнее время даннй тип флэш-карт всеже сдает свои позиции картам SD и MMS. Карты CompactFlash выпускают многие производители: различными по скорости и по цене. Сегодня доступны карты CF объемом до 8 Гб. Что же касается скорости чтения или записи, то они зависят от производителя, от серии и от объема карты.
Multi Media Card (MMC). Карта MMC малогабаритна: 24×32×1,4 мм и весит всего 2 грамма.. Карты MMC имеют 100%-совместимость с устройствами, использующими карты типа SecureDigital. Имеющиеся на рынке MMC-карты имеют объем до 4 Гб.
Redused Size Multi Media Card (RS MMC). RS MMC представлят собой уменьшенную вдвое карту памяти MMC. Размеры карт RS MMC всего 24×18×1,4 мм. Предусмотрена совместимость карт RS-MMC с обычными MMC-носителями: при помощи переходников они могут быть использованы в устройствах, оснащенных слотами ММС.
Multi Media Card Mobile (MMC Mobile). MMC Mobile - разновидность карт RS MMC, может работать от двух напряжений питания: 1,8 В (пониженное напряжение) и 3,3 В (как обычная MMC-карта). Данный тип карт флэш-памяти совместим как с обычными устройствами, имеющими слот памяти MMC, так и с низковольтными устройствами.
Multi Media Card Plus (MMC plus). Еще одна разновидность MMC-карт - карты MMC plus, соответствующие новому стандарту MMC System Specification 4. MMC plus отличается от обычной MMC наличием большего числа контактов, что обеспечивает скорсть передачи данных до 200×, в тандеме с устройствами, поддерживающими эту технологию.
Secure Digital (SD). Флэш-карты SD представляют собой дальнейшее развитие стандарта MMC - они являются представителями третьего поколения флэш-памяти. В отличие от MMC, имеющих 7 контактов, карты SD оснащены 9-контактным интерфейсом и маленьким переключателем для защиты от случайного уничтожения хранимых данных. Название SecureDigital указывает на поддержку картами памяти технологии защиты данных от несанкционированного доступа и копирования. В отличие от других типов флэш-памяти, все SD-карты оснащаются электронной схемой защиты информации. Карта может хранить как незащищенную, так и защищенную информацию. Данные могут быть защищены или уникальным ID-ключом карты, или алгоритмом шифрования. Это дает владельцу карты уверенность в надежности защиты его данных. На сегодняшний день рынок предлагает карты SD с объемом до 4 Гб. Скорость чтения и записи зависит от размера карты и от ее марки.
Mini Secure Digital (Mini SD). Стандарт miniSD был разработан в 2003 году на базе стандарта SD. Размеры карты miniSD - 20×21,5×1,4 мм. Карты этого формата могут устанавливаться и в разъем стандарта miniSD, и в разъем стандарта SD (при помощи специального адаптера). В настоящий момент выпускаются miniSD-карты объемом до 2 Гб. Micro Secure Digital (Micro SD).Карты microSD являются одними из самых маленьких флэш-карт - их размеры всего 11×15×1 мм.
     Memory 
Stick (MS). Компания Sony имеет собственную 
версию флэш-памяти, известную под названием 
Memory Stick. Memory Stick - это маленькое сменное 
устройство хранения данных большой емкости 
размером 21,5×50×2,8 мм. В этом устройстве 
используется уникальный переключатель 
защиты от стирания. Объем Memory Stick (в зависимости 
от форм-фактора и модели) варьируется 
от 16 Мб до 4 Гб.   
      Вывод: 
существует достаточное количество 
карт флэш-памяти, которые подходят пользователям 
с абсолютно разными требованиями. По 
моему мнению, в этом состоит одно из преимуществ 
флэш-устройств. 
Изучив принцип действия флэш-памяти, я могу сделать вывод о том, что она имеет значительные преимущества перед другими видами памяти.
Исходя из её особенностей, можно перейти к выявлению технических характеристик флэш-устройств.
Технические характеристики флэш-устройств
   В 2005 
году некоторые компании, занимающиеся 
изготовлением флэш-устройств, представили 
NAND чипы объёмом 1 ГБ, выполненные по технологии 
многоуровневых ячеек, где один транзистор 
может хранить несколько бит, используя 
разный уровень электрического заряда 
на плавающем затворе. Для увеличения 
объёма в устройствах часто применяется 
массив из нескольких чипов. К 2007 году 
флэш-устройства и карты памяти уже имели 
объём от 512 МБ до 64 ГБ. Самый большой объём 
устройств составлял 4 ТБ. 
   Также 
некоторые флэш-устройства имеют встроенный 
контроллер, который производит обнаружение 
и исправление ошибок и старается равномерно 
использовать ресурс перезаписи флеш-памяти. 
Информация о работе Технические и эксплуатационные характеристики устройств (флэш-устройства)