Полупроводниковые приборы

 

Входная емкость полевого транзистора С11и - емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком. Выходная емкость полевого транзистора С22и - емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Проходная емкость полевого транзистора C12и - емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Емкость затвор -сток СЗСО - емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Емкость затвор - исток СЗИО емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.

 

Коэффициент усиления по мощности Кур - отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.

 

 

 

 

 

37. Перечислите  разновидности современных полупроводниковых  приборов. Каково основное функциональное  назначение каждого из них?

Виды полупроводниковых приборов:

 

Полупроводниковый прибор– прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника.

Силовой полупроводниковый прибор– полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств.

Полупроводниковый блок– совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.

Набор полупроводниковых приборов– совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.

Полупроводниковый диод– полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами.

Точечный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод с точечным переходом.

Плоскостной полупроводниковый диод– полупроводниковый диод с плоскостным переходом.

Выпрямительный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.

Лавинный выпрямительный диод– выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной характеристики.

Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем– выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольтамперной характеристики.

Выпрямительный полупроводниковый столб– совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.

Выпрямительный полупроводниковый блок– полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов.

Импульсный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Полупроводниковый диод с резким восстановлением обратного сопротивления– полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого восстановления обратного сопротивления, который используют для целей умножения частоты и формирования импульсов с малым временем нарастания.

Диод с накоплением заряда– импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания.

Туннельный полупроводниковый диод – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости.

Обращенный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала.

Лавинно-пролетный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

Инжекционно-пролетный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

Переключательный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление– при обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала.

Смесительный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.

Диод Ганна– полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний.

Коммутационный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.

Регулируемый резистивный полупроводниковый диод– полупроводниковый p-i-n диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения.

Детекторный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод предназначенный для детектирования сигнала.

Ограничительный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения.

Умножительный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты.

Модуляторный полупроводниковый диод– полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала.

Диод Шоттки– полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника.

Варикап– полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

Параметрический полупроводниковый диод – варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.

Полупроводниковый стабилитрон (Стабилитрон, Ндп.Зенеровский диод)– полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.

Полупроводниковый шумовой диод– полупроводниковый прибор являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.

Биполярный транзистор– полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.

Бездрейфовый транзистор– биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии.

Дрейфовый транзистор– биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.

Точечный транзистор– биполярный транзистор с точечными переходами.

Плоскостной транзистор– биполярный транзистор с плоскостными переходами.

Лавинный транзистор– биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.

Полевой транзистор– полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.

Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.

Полевой транзистор с изолированным затвором– полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.

Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник МДП-транзистор– полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.

Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник МОП-транзистор– полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.

Симметричный транзистор– биполярный или полевой транзистор сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.

Тиристор– полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.

Диодный тиристор– тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры.

Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении– диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении– диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжения не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.

Симметричный диодный тиристор– диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях.

Триодный тиристор– тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры и один вывод от управляющей.

Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении– триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования.

Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении– триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямим напряжением в открытом состоянии.

Симметричный триодный тиристор– триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий электрод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.

Запираемый тиристор– тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот при подаче на управляющий электрод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа– тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод положительного, по отношению к катоду сигнала.

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа– тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод отрицательного по отношению к аноду сигнала.

Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении– тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной характеристики обратного непроводящего состояния.

Комбинированно-выключаемый тиристор– тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.

Импульсный тиристор– тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор– полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий когерентное или некогерентное электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.