Автор работы: Пользователь скрыл имя, 13 Октября 2009 в 15:45, Не определен
ответы
10.2.Задача
на определение показателя преломления
прозрачной среды.
11.1.Работа
в термодинамике. Внутренняя энергия.
Первый закон термодинамики. Применение
первого закона к изопроцессам. Адиабатный
процесс.
Каждое тело имеет
вполне определенную структуру, оно состоит
из частиц, которые хаотически движутся
и взаимодействуют друг с другом, поэтому
любое тело обладает внутренней энергией.
Внутренняя энергия — это величина, характеризующая
собственное состояние тела, т. е. энергия
хаотического (теплового) движения микрочастиц
системы
(молекул, атомов, электронов, ядер и т.
д.) и энергия взаимодействия этих частиц.
Внутренняя энергия одноатомного идеального
газа определяется по формуле U = 3/2 • т/М
• RT.
Внутренняя энергия тела может изменяться
только в результате его взаимодействия
с другими телами. Существует два способа
изменения внутренней энергии: теплопередача
и совершение механической работы (например,
нагревание при трении или при сжатии,
охлаждение при расширении).
Теплопередача — это изменение внутренней
энергии без совершения работы: энергия
передается от более нагретых тел к менее
нагретым. Теплопередача бывает трех видов:
теплопроводность (непосредственный обмен
энергией между хаотически движущимися
частицами взаимодействующих тел или
частей одного и того же тела); конвекция
(перенос энергии потоками жидкости или
газа) и излучение (перенос энергии электромагнитными
волнами). Мерой переданной энергии при
теплопередаче является количество теплоты
(Q).
Эти способы количественно объединены
в закон сохранения энергии, который для
тепловых процессов читается так: изменение
внутренней энергии замкнутой системы
равно сумме количества теплоты, переданной
системе, и работы внешних сил, совершенной
над системой.
, где
— изменение внутренней энергии, Q — количество
теплоты, переданное системе, А — работа
внешних сил. Если система сама совершает
работу, то ее условно обозначают А*. Тогда
закон сохранения энергии для тепловых
процессов, который называется первым
законом термодинамики, можно записать
так:
, т.е. количество теплоты, переданное системе,
идет на совершение системой работы и
изменение ее внутренней энергии.
При изобарном нагревании газ совершает
работу над внешними силами
, где V1 и V2 — начальный и конечный объемы
газа. Если процесс не является изобарным,
величина работы может быть определена
площадью фигуры ABCD, заключенной между
линией, выражающей зависимость p(V), и начальным
и конечным объемами газа V
Рассмотрим применение первого закона
термодинамики к изопроцессам, происходящим
с идеальным газом.
В изотермическом процессе температура
постоянная, следовательно, внутренняя
энергия не меняется. Тогда уравнение
первого закона термодинамики примет
вид:
, т. е. количество теплоты, переданное
системе, идет на совершение работы при
изотермическом расширении, именно поэтому
температура не изменяется.
В изобарном процессе газ расширяется
и количество теплоты, переданное газу,
идет на увеличение его внутренней энергии
и на совершение им работы:
.
При изохорном процессе газ не меняет
своего объема, следовательно, работа
им не совершается, т. е. А = 0, и уравнение
первого закона имеет вид
, т. е. переданное количество теплоты идет
на увеличение внутренней энергии газа.
Адиабатным называют процесс, протекающий
без теплообмена с окружающей средой.
Q = 0, следовательно, газ при расширении
совершает работу за счет уменьшения его
внутренней энергии, следовательно, газ
охлаждается,
Кривая, изображающая адиабатный процесс,
называется адиабатой.
11.2.Задача
на применение закона электромагнитной
индукции.
12.1.Взаимодействие
заряженных тел. Закон Кулона. Закон сохранения
электрического заряда.
Законы взаимодействия
атомов и молекул удается понять и объяснить
на основе знаний о строении атома, используя
планетарную модель его строения. В центре
атома находится положительно заряженное
ядро, вокруг которого вращаются по определенным
орбитам отрицательно заряженные частицы.
Взаимодействие между заряженными частицами
называется электромагнитным. Интенсивность
электромагнитного взаимодействия определяется
физической величиной — электрическим
зарядом, который обозначается q. Единица
электрического заряда — кулон (Кл). 1 кулон
— это такой электрический заряд, который,
проходя через поперечное сечение проводника
за 1 с, создает в нем ток силой 1 А. Способность
электрических зарядов как к взаимному
притяжению, так и к взаимному отталкиванию
объясняется существованием двух видов
зарядов. Один вид заряда назвали положительным,
носителем элементарного положительного
заряда является протон. Другой вид заряда
назвали отрицательным, его носителем
является электрон. Элементарный заряд
равен
Заряд частиц всегда представляется числом,
кратным величине элементарного заряда.
Полный заряд замкнутой системы (в которую
не входят заряды извне), т. е. алгебраическая
сумма зарядов всех тел, остается постоянной:
q1 + q2 + ... + qn = const. Электрический заряд не
создается и не исчезает, а только переходит
от одного тела к другому. Этот экспериментально
установленный факт называется законом
сохранения электрического заряда. Никогда
и нигде в природе не возникает и не исчезает
электрический заряд одного знака. Появление
и исчезновение электрических зарядов
на телах в большинстве случаев объясняется
переходами элементарных заряженных частиц
— электронов — от одних тел к другим.
Электризация — это сообщение телу электрического
заряда. Электризация может происходить,
например, при соприкосновении (трении)
разнородных веществ и при облучении.
При электризации в теле возникает избыток
или недостаток электронов.
В случае избытка электронов тело приобретает
отрицательный заряд, в случае недостатка
— положительный.
Законы взаимодействия неподвижных электрических
зарядов изучает электростатика.
Основной закон электростатики был экспериментально
установлен французским физиком Шарлем
Кулоном и читается так: модуль силы взаимодействия
двух точечных неподвижных электрических
зарядов в вакууме прямо пропорционален
произведению величин этих зарядов и обратно
пропорционален квадрату расстояния между
ними.
г — расстояние между ними, k — коэффициент
пропорциональности, зависящий от выбора
системы единиц, в СИ
Величина, показывающая, во сколько раз
сила взаимодействия зарядов в вакууме
больше, чем в среде, называется диэлектрической
проницаемостью среды Е. Для среды с диэлектрической
проницаемостью е закон Кулона записывается
следующим образом:
В СИ коэффициент k принято записывать
следующим образом:
— электрическая постоянная, численно
равная
использованием электрической постоянной
закон Кулона имеет вид:
Взаимодействие неподвижных электрических
зарядов называют электростатическим
или кулонов-ским взаимодействием. Кулоновские
силы можно изобразить графически (рис.
20, 21).
12.2.Задача
на применение закона сохранения энергии.
13.1.Конденсаторы.
Электроемкость конденсатора. Применение
конденсаторов.
Для накопления
значительных количеств разноименных
электрических зарядов применяются конденсаторы.
Конденсатор — это система двух проводников
(обкладок), разделенных слоем диэлектрика,
толщина которого мала по сравнению с
размерами проводников. Так, например,
две плоские металлические пластины, расположенные
параллельно и разделенные диэлектриком,
образуют плоский конденсатор. Если пластинам
плоского конденсатора сообщить равные
по модулю заряды противоположного знака,
то напряженность между пластинами будет
в два раза больше, чем напряженность одной
пластины. Вне пластин напряженность равна
нулю.
Обозначаются конденсаторы на схемах
так:
Электроемкостью конденсатора называют
величину, равную отношению величины заряда
одной из пластин к напряжению между ними.
Электроемкость обозначается С.
По определению С = q/U. Единицей электроемкости
является фарад (Ф). 1 фарад — это электроемкость
такого конденсатора, напряжение между
обкладками которого равно 1 вольту при
сообщении обкладкам разноименных зарядов
по 1 кулону.
где ЕО — электрическая постоянная, £
— диэлектрическая постоянная среды,
S — площадь
В зависимости от типа диэлектрика конденсаторы
бывают воздушные, бумажные, слюдяные.
Конденсаторы применяются для накопления
электроэнергии и использования ее при
быстром разряде (фотовспышка), для разделения
цепей постоянного и переменного тока,
в выпрямителях, колебательных контурах
и других радиоэлектронных устройствах.
13.2.Задача
на применение уравнения состояния идеального
газа.
14.1.Работа
и мощность в цепи постоянного тока. Электродвижущая
сила. Закон Ома для
полной цепи.
Мощность по определению N = A/t, следовательно,
Русский ученый X. Ленд и английский ученый
Д. Джоуль опытным путем в середине прошлого
века установили независимо друг от друга
закон, который называется законом Джоуля
— Ленца и читается так: при прохождении
тока по проводнику количество теплоты,
выделившееся в проводнике, прямо пропорционально
квадрату силы тока, сопротивлению проводника
и времени прохождения тока.
.
Полная замкнутая цепь представляет собой
электрическую цепь, в состав которой
входят внешние сопротивления и источ-ник
тока (рис. 25). Как один из участков цепи,
источник тока обладает сопротивлением,
которое
называют внутренним, r.
Для того чтобы ток проходил по замкнутой
цепи, необходимо, чтобы в источнике тока
зарядам сообщалась дополнительная энергия,
она появляется за счет работы по перемещению
зарядов, которую производят силы неэлектрического
происхождения (сторонние силы) против
сил электрического поля. Источник тока
характеризуется энергетической характеристикой,
которая называется ЭДС — электродвижущая
сила источника. ЭДС измеряется отношением
работы сторонних сил по перемещению вдоль
замкнутой цепи положительного заряда
к величине этого заряда
тивление участка цепи часто называют
падением напряжения на этом участке.
Таким образом, ЭДС равна сумме падений
напряжений на внутреннем и внешнем участках
замкнутой цепи. Обычно это выражение
записывают так: I = E/(R + г). Эту зависимость
опытным путем получил Георг Ом, называется
она законом Ома для полной цепи и читается
так: сила тока в полной цепи прямо пропорциональна
ЭДС источника тока и обратно пропорциональна
полному сопротивлению цепи. При разомкнутой
цепи ЭДС равна напряжению на зажимах
источника и, следовательно, может быть
измерена вольтметром.
14.2.
Лабораторная работа
«Измерение массы
тела»
15.1.Магнитное
поле, условия его существования. Действие
магнитного поля на электрический заряд
и опыты, подтверждающие это действие.
Магнитная индукция.
В 1820 г. датский
физик Эрстед обнаружил, что магнитная
стрелка поворачивается при пропускании
электрического тока через проводник,
находящийся около нее (рис. 27). В том же
году французский физик Ампер установил,
что два проводника, расположенные параллельно
друг другу, испытывают взаимное притяжение,
если ток течет по ним в одном направлении,
и отталкивание, если токи текут в разных
направлениях (рис. 28). Явление взаимодействия
токов Ампер назвал электродинамическим
взаимодействием. Магнитное взаимодействие
движущихся электрических зарядов, согласно
представлениям теории близкодействия,
объясняется следующим образом: всякий
движущийся электрический заряд создает
в окружающем пространстве магнитное
поле. Магнитное поле — особый вид материи,
который возникает в пространстве вокруг
любого переменного электрического поля.
С современной точки зрения в природе
существует совокупность двух полей —
электрического и магнитного — это электромагнитное
поле, оно представляет собой особый вид
материи, т. е. существует объективно, независимо
от нашего сознания. Магнитное поле всегда
порождается переменным электрическим,
и наоборот, переменное магнитное поле
всегда порождает переменное электрическое
поле. Электрическое поле, вообще говоря,
можно рассматривать отдельно от магнитного,
так как носителями его являются частицы
— электроны и протоны. Магнитное поле
без электрического не существует, так
как носителей магнитного поля нет. Вокруг
проводника с током существует магнитное
поле, и оно порождается переменным электрическим
полем движущихся заряженных частиц в
проводнике.
Магнитное поле является силовым полем.
Силовой характеристикой магнитного поля
называют магнитную индукцию (В). Магнитная
индукция — это векторная физическая
величина, равная максимальной силе, действующей
со стороны магнитного поля на единичный
элемент тока. В = F/IL Единичный элемент
тока — это проводник длиной 1 м и силой
тока в нем 1 А. Единицей измерения магнитной
индукции является тесла. 1 Тл = 1 Н/А • м.
Магнитная индукция всегда порождается
в плоскости под углом 90° к электрическому
полю. Вокруг проводника с током магнитное
поле также существует в перпендикулярной
проводнику плоскости.
Магнитное поле является вихревым полем.
Для графического изображения магнитных
полей вводятся силовые линии, или линии
индукции, — это такие линии, в каждой
точке которых вектор магнитной индукции
направлен по касательной. Направление
силовых линий находится по правилу буравчика.
Если буравчик ввинчивать по направлению
тока, то направление вращения рукоятки
совпадет с направлением силовых линий.
Линии магнитной индукции прямого провода
с током представляют собой концентрические
окружности, расположенные в плоскости,
перпендикулярной проводнику (рис. 29).
Как установил Ампер, на проводник с током,
помещенный в магнитное поле, действует
сила. Сила, действующая со стороны магнитного
поля на проводник с током, прямо пропорциональна
силе тока, длине проводника в магнитном
поле и перпендикулярной составляющей
вектора магнитной индукции. Это и есть
формулировка закона Ампера, который записывается
так: Fa = ILВ sin a. Направление силы Ампера
определяют по правилу левой руки. Если
левую руку расположить так, чтобы четыре
пальца показывали направление тока, перпендикулярная
составляющая вектора магнитной индукции
(В = В sin а) входила в ладонь, то отогнутый
на 90° большой палец покажет направление
силы Ампера (рис. 30).
15.2. Лабораторная
работа «Измерение влажности
воздуха»
16.1.Полупроводники.
Собственная и примесная проводимость
полупроводников. Полупроводниковые приборы.
Полупроводники
— это вещества, удельное сопротивление
которых убывает с повышением температуры,
наличием примесей, изменением освещенности.
По этим свойствам они разительно отличаются
от металлов. Обычно к полупроводникам
относятся кристаллы, в которых для освобождения
электрона требуется энергия не более
1,5—2 эВ. Типичными полупроводниками являются
кристаллы германия и кремния, в которых
атомы объединены ковалентной связью.
Природа этой связи позволяет объяснить
указанные выше характерные свойства.
При нагревании полупроводников их атомы
ионизируются. Освободившиеся электроны
не могут быть захвачены соседними атомами,
так как все их валентные связи насыщены.
Свободные электроны под действием внешнего
электрического поля могут перемещаться
в кристалле, создавая электронный ток
проводимости. Удаление электрона с внешней
оболочки одного из атомов в кристаллической
решетке приводит к образованию положительного
иона. Этот ион может нейтрализоваться,
захватив электрон. Далее, в результате
переходов электронов от атомов к положительным
ионам происходит процесс хаотического
перемещения в кристалле места с недостающим
электроном — «дырки». Внешне этот процесс
хаотического перемещения воспринимается
как перемещение положительного заряда.
При помещении кристалла в электрическое
поле возникает упорядоченное движение
«дырок» — дырочный ток проводимости.
В идеальном кристалле ток создается равным
количеством электронов и «дырок». Такой
тип проводимости называют собственной
проводимостью полупроводников. При повышении
температуры (или освещенности) собственная
проводимость проводников увеличивается.
На проводимость полупроводников большое
влияние оказывают примеси. Примеси бывают
донорные и акцепторные. Допорная примесь
— это примесь с большей валентностью.
При добавлении донорной примеси в полупроводнике
образуются липшие электроны. Проводимость
станет электронной, а полупроводник называют
полупроводником n-типа. Например, для
кремния с валентностью n — 4 донорной
примесью является мышьяк с валентностью
n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет
к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторная примесь — это примесь с меньшей
валентностью. При добавлении такой примеси
в полупроводнике образуется лишнее количество
«дырок». Проводимость будет «дырочной»,
а полупроводник называют полупроводником
р-типа. Например, для кремния акцепторной
примесью является индий с валентностью
п = 3. Каждый атом индия приведет к образованию
лишней «дырки».
Принцип действия большинства полупроводниковых
приборов основан на свойствах р—n-перехода.
При приведении в контакт двух полупроводниковых
приборов р-типа и л-типа в месте контакта
начинается диффузия электронов из n-области
в р-область, а «дырок» — наоборот, из р-
в n-область. Этот процесс будет не бесконечным
во времени, так как образуется запирающий
слой, который будет препятствовать дальнейшей
диффузии электронов и «дырок».
р—n-Контакт полупроводников, подобно
вакуумному диоду, обладает односторонней
проводимостью:
если к р-области подключить «+» источника
тока, а к n-области «-» источника тока,
то запирающий слой разрушится и р—л-контакт
будет проводить ток, электроны из д-области
пойдут в р-область, а «дырки» из р-области
в n-область (рис. 32)
В первом случае ток не равен нулю, во втором
— ток равен нулю. Это означает, что если
кр-области подключить «-» источника, а
к л-области — «+» источника тока, то запирающий
слой расширится и тока не будет. Полупроводниковый
диод состоит из контакта двух полупроводников
р- и n-типа
. Полупроводниковые диоды имеют: небольшие
размеры и массу, длительный срок службы,
высокую механическую прочность, высокий
коэффициент полезного действия, их недостатком
является зависимость сопротивления от
температуры.
В радиоэлектронике применяется также
еще один полупроводниковый прибор: транзистор,
который был изобретен в 1948 г. В основе
триода лежит не один, а два р—л-перехода.
Основное применение транзистора — это
использование его в качестве усилителя
слабых сигналов по току и напряжению,
а полупроводниковый диод применяется
в качестве выпрямителя тока. После открытия
транзистора наступил качественно новый
этап развития электроники — микроэлектроники,
поднявший на качественно иную ступень
развитие электронной техники, систем
связи, автоматики. Микроэлектроника занимается
разработкой интегральных микросхем и
принципов их применения. Интегральной
микросхемой называют совокупность большого
числа взаимосвязанных компонентов —
транзисторов, диодов, резисторов, соединительных
проводов, изготовленных в едином технологическом
процессе. В результате этого процесса
на одном кристалле одновременно создается
несколько тысяч транзисторов, конденсаторов,
резисторов и диодов, до 3500 элементов Размеры
отдельных элементов микросхемы могут
быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении
не должна превышать 0,2 мкм. Микропроцессор
современной ЭВМ, размещенный на кристалле
кремния размером 6x6 мм, содержит несколько
десятков или даже сотен тысяч транзисторов.
Однако в технике применяются также полупроводниковые
приборы без р—n-перехода. Например, терморезисторы
(для измерения температуры), фоторезисторы
(в фотореле, аварийных выключателях, в
дистанционных управлениях телевизорами
и видеомагнитофонами).
Информация о работе Ответы на экзаменационные билеты по физике