Эффект Мейснера и его применение в современной микроэлектронике

Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами. Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником. Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами. В случае контакта метал – полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта, а именно, со стороны полупроводника. Это видно хотя бы из того факта, что весь запирающий (или антизапирающий1) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину, а значит, и ток можно регулировать концентрацией носителей n0, т.е. выбором типа кристалла, легированием полупроводника, температурой, освещением и т.д.

ВВЕДЕНИЕ 4
ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 5
1.1 Понятие о p-n-переходе 5
1.2 Структура p-n-перехода 8
1.3 Методы создания p-n-переходов 11
1.3.1 Точечные переходы 12
1.3.2 Сплавные переходы 12
1.3.3 Диффузионные переходы 13
1.3.4 Эпитаксиальные переходы 13
1.4 Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии 16
1.5 Токи через p-n-переход в равновесном состоянии 18
1.6 Методика расчета параметров p-n-перехода 20
1.7 Расчет параметров ступенчатого p-n-перехода 22
ЧАСТЬ II. РАСЧЕТ ШИРИНЫ СТУПЕНЧАТОГО P – N-ПЕРЕХОДА 24
ЧАСТЬ III. ЭФФЕКТ МЕЙСНЕРА И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ В СОВРЕМЕННОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ(РЕФЕРАТ) 25
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 35
ПРИЛОЖЕНИЕ. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ 36
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 37