Эмиттерный повторитель

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 03 Июня 2010 в 18:26, Не определен

Описание работы

1. Введение.
2. Коэффициент передачи.
3. Входное сопротивление.
4. Выходное сопротивление.
5. Переходные процессы.
6. Блокировка повторителя.
7. Схемы сдвига уровня.
8. Список литературы.

Файлы: 1 файл

Реферат.docx

— 129.99 Кб (Скачать файл)

Если условие  Rr « не выполняется, то переходный процесс претерпевает некоторые изменения. А именно, начальные скачки эмиттерного тока и выходного напряжения уменьшаются, а последующие приращения коллекторного тока ответвляются не только в цепь базы, но в значительной мере и в цепь эмиттера. Соответственно ток Iэ и напряжение заметно возрастают во время переходного процесса. В этом случае, длительность фронта tф2 имеет конечное значение.

Рис. 5. Переходный процесс в повторителе при большом нагрузочной емкости

Блокировка  повторителя.

     Специфический переходный процесс имеет место в повторителе при достаточно большой нагрузочной емкости Си (рис. 4). В первый момент после поступления ступенчатого входного сигнала напряжение на емкости Си не меняется, а значит, не меняется и потенциал эмиттера. Поэтому, если сигнал Uвх имеет отрицательную полярность и превышает величину U* (рис. 5), то напряжение на эмиттерном переходе становится обратным и транзистор запирается.

   После этого емкость Си разряжается через сопротивление Rэ  с большой постоянной времени СиRЭ. Транзистор снова открывается только тогда, когда напряжение база-эмиттер достигает значения U* (момент t1 на рис. 9.19). Описанное явление (т.е. временное запирание транзистора при больших отрицательных сигналах) получило название блокировки повторителя.

Как известно, для  запирания кремниевых транзисторов обратное смещение на эмиттерном переходе не обязательно: достаточно, чтобы прямое смещение было на 0,1-0,2 В меньше величины U*. Поэтому явление блокировки может иметь место даже при малых отрицательных сигналах 0,2-0,3 В.

Следует подчеркнуть, что блокировка повторителя  подразумевает ступенчатый характер сигналов. В противном случае емкость СН успевает «отследить» входной отрицательный сигнал и блокировка не имеет места. Критерием блокировки может служить неравенство: , где - время нарастания среза входного импульса.

   Схемы сдвига уровня.

     В многокаскадных усилителях на базу каждого  следующего каскада поступает не только полезный сигнал, но и постоянная составляющая напряжения с коллектора предыдущего каскада. Таким образом, постоянная составляющая «накапливается», возрастает от каскада к каскаду, что вызывает определенные затруднения при разработке последних — выходных каскадов. Поэтому часто возникает задача устранить постоянную составляющую на входе очередного каскада, но по возможности без изменений передать переменную составляющую — сигнал. Именно такую задачу и решают так называемые схемы сдвига уровня. Простейшей схемой сдвига уровня является эмиттерный повторитель. Действительно, у него уровень выходного (эмиттерного) потенциала ниже уровня базового потенциала на величину U*, а сигнал передается с коэффициентом К≈1.

    Простейшей схемой сдвига уровня является эмиттерный повторитель. Действительно, у него уровень выходного (эмиттерного) потенциала ниже уровня базового потенциала на величину U*, а сигнал передается с коэффициентом К≈1.

Эмиттерный  повторитель лежит в основе других, более сложных схем сдвига уровня. Например, если нужно понизить уровень входного сигнала на величину 2U*, то можно либо использовать повторитель по схеме Дарлингтона, либо включить в эмиттерную цепь простейшего повторителя прямосмещенный диод (см. ниже).

   

вых

   

Рис. 6. Схема сдвига уровня

                 Иногда  требуется сместить уровень на величину, не кратную U*, например, на 2,5 В. Тогда используется универсальная схема сдвига уровня, показанная на рис. 6. В общем случае в такой схеме может быть не один, а n последовательно включенных диодов. Соотношение между входными и выходными уровнями имеет вид: Коэффициент передачи переменной составляющей в схеме на рис. 6 зависит в первую очередь от внутреннего сопротивления источника тока. Если , то К = 1 независимо от структуры эмиттерной и базовой цепей. 
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               

Список  литературы: 

  1. Основы  микроэлектроники - И.П.Cтепаненко, 2-е  изд.
  2. Полупроводниковая схемотехника У.Титце, К.Шенк
  3. Искусство схемотехники П.Хоровиц, У.Хилл

Информация о работе Эмиттерный повторитель