Получение слоев GexSi1-x на кремнии методом вакумных микроразмерных ростовых ячеек

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 09 Ноября 2012 в 10:40, реферат

Описание работы

Кремний – наиболее доступный, всесторонне исследованный и широко используемый в полупроводниковой электронике материал. Хорошо налажено получение кремниевых плоскопараллельных пластин диаметром до 300 мм и более с различно ориентированной поверхностью, обработанной до 14-го класса чистоты. Такие пластины являются подложечным материалом для формирования гетероструктур микро- и оптоэлектронного назначения и массово используются при получения эпитаксиальных слоёв кремния в производстве интегральных микросхем.