Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 25 Ноября 2011 в 15:12, курсовая работа

Описание работы

Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого были обнаружены: эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник; фотопроводимость.

Содержание работы

1. Исходные данные……………………………………………………………………..…....3
2. Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном п/п …..………………………………………………………………………..…....4
3. Расчет температурной зависимости уровня Ферми в собственном п/п ….………...….7
4. Расчет температуры ионизации дононой примеси Тs и ионизации основного вещества Ti в п/п……………………………………………………………………….……….10
5. Расчет температуры ионизации Тs и Ti в акцепторном п/п…………………………...12
6. Расчет температурной зависимости положения уровня Ферми в дон. п/п…….…......17
7. Расчет критической концентрации вырождения донорной примеси………….……...18
8. Расчет равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока….…….20
9. Нахождение высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода…….….....21
10. Нахождение положение уровней Ферми в р-n переходе…………………………….....22
11. Нахождение толщины р-n перехода в равновесном состоянии………………………..23
12. Определение толщины пространственного заряда в р и n областях…………………..24
13. Построение графика 5 «Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии»……………………………………………………………………………………....25
14. Нахождение максимальной напряженности электрического поля в равновесном p-n-переходе………………………………………………………………….….26
15. Нахождение падение потенциала в p-n-областях пространственного заряда p-n- перехода………………………………………………………………………………………....27
16. Построение график 6 «Зависимость потенциала в p-n-областях от расстояния».........29
17. Вычисление барьерной емкости p-n-перехода………………………………………….30
18. Вычисление коэффициента диффузии для электронов и дырок……………………...31
19. Вычислить электропроводность и удельное сопротивление собственного п/п…......32
20. Определение величины плотности обратного тока p-n-перехода…………………….33
21. Построение обратной ветви ВАХ p-n-перехода……………………………………......34
22. Построить прямую ветвь ВАХ p-n-перехода...................................................................35
23. Вычислить отношение jпр/jобр……………………………………………………….....34
24. Список литературы……………………………………………………………………....36

Файлы: 2 файла

Курсовая по ФОЭ 3 семестр завершенная.doc

— 918.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

Курсовая по ФОЭ 3 семестр завершенная.docx

— 423.15 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)
Открыть текст работы Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода