Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Цель дипломной работыя. поставить лабораторную работу исследо-

вательского характера и разработать методику ее выполнения для

практикума по физике полупроводниковых приборов с исследованием

вольт-амперных характеристик не только ставших широко известных

полупроводниковых приборов диодов и транзисторов, но и абсолютно

новых приборов разработанных и исследуемых на кафедре - ТУННЕЛИС-

ТОР и БИСПИН.